8英寸GaN！这几家企业联手了

据韩媒报道，7月18日，Sigetronics宣布将投资68亿韩元（约3504万元人民币），用于“GaN功率集成电路（Power IC）代工技术”项目，目标是2023年量产氮化镓功率器件，2026年量产GaN功率IC。他们认为届时全球 GaN 功率半导体市场将增长到 1-20 亿美元（约6.7-135亿元人民币）。

报道称，Sigetronics将联手韩国东部高科（DB HiTek），基于6英寸互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的 GaN 功率半导体技术，共同开发8 英寸硅基GaN技术，还将开发有源器件、逻辑电路和封装技术等，以构建支持 GaN功率IC代工服务的生产线。
据介绍，该GaN项目是韩国产业通商资源部在推进，目标是开发大直径650V硅基GaN功率器件和功率 GaN IC 技术。

1月4日，据韩媒报道，东部高科正计划建8英寸线生产硅基GaN半导体。DB HiTek公司高管表示，由于氮化镓生产线的设备交付期至少是1年，为此他们的GaN和SiC生产线最早将于2023年建成。
Sigetronics于2008年成立，该公司CEO Shim Gyu-hwan曾表示，他们准备新建一条生产线，于2022年开始生产和销售GaN RF器件。
那么，此次跟东部高科联手，或将意味着他们可能不需要自己建线了。
据了解，目前，Sigetronics已开发出100~650V级 GaN FET原型，并正在推动明年器件的量产。
此外，2021年3月，Sigetronics还推出了GaN射频器件，具备200W的高输出功率和DC~6GHz 的工作频率，良率可提高到70％以上。未来其GaN RF产品阵容会将扩展到5G（28GHz）、卫星通信（35 GHz）、军用雷达（64 GHz）和自动驾驶汽车（77 GHz）。