Sciox是全球市占率领先的GaN单晶衬底厂商，也是住友化学的子公司。近日，为了进军汽车等大功率领域，住友宣布将与Sciox合并。
合并后，住友将投资5亿元扩产，将氮化镓衬底营收增长3倍以上，挑战15亿目标。而他们有这样的“雄心”是因为他们已经开发了1000V的垂直GaN器件，良率提升72%，而且具有体PN二极管特性。
住友合并Sciox加速GaN 市场布局
8月1日，住友化学宣布，将于2022年10月1日与全资子公司 Sciox 合并，将其并入公司的 IT 相关化学品部门。
此前，Sciox的2英寸氮化镓衬底在高亮度投影仪激光光源的市场占有率较高，这次合并是为了扩大氮化镓功率半导体的开发效率，进军数据中心和电动汽车 (EV)等领域。
据介绍，2015年住友化学在收购日立金属的半导体材料业务后成立了Sciox。公告披露，2021年Sciox的总资产为67.13亿日元（约3.4亿人民币），销售额为85.63亿日元（约4.3亿人民币），净利为12.59亿日元（约6400万人民币）。
宣布合并后，住友表示要在10年内将其氮化镓 (GaN) 单晶衬底的销售额提高到 300 亿日元以上（约15.2亿人民币），大约是目前的3倍以上；并将投资100亿日元（约5亿人民币），在2024年前后建立全面扩张4英寸氮化镓衬底所需的生产系统。
据悉，住友与Saiox的茨城县工厂已启动，他们将在日本建设新的生产设施以生产4英寸氮化镓单晶衬底。而且他们已经成功制作了6英寸氮化镓衬底原型，并正在抓紧建立量产技术。
已开发1000V垂直器件良率提升72%
垂直GaN功率器件取得重大突破，是住友此次合并Sciox以及扩产的关键。
“行家说三代半”此次报道过，住友化学已经通过将钠熔剂法和HVPE法相结合，成功制造出翘曲极低的4英寸GaN衬底，缺陷减少到传统水平的1/100以下。
根据日本环境省今年3月份的公告， Sciox与大阪大学工学研究生院、松下控股有限公司以及丰田合成有限公司合作开发了全新的制造技术，基于住友的2英寸氮化镓单晶衬底，开发了1000V的高可靠性和高性能GaN功率晶体管。
他们表示，这种垂直GaN晶体管的导通电阻仅为传统氮化镓功率器件的一半以下，器件特性非常稳定；此外，Sciox的单晶GaN 衬底也减少了垂直晶体管关闭时的漏电流，从而提高成品率。
住友的垂直 GaN 晶体管结构如下，这款垂直GaN晶体管还具备类似SiC MOSFET的体PN二极管反向特性（红圈）。
这表明，与市售的GaN衬底相比，住友的钠熔剂GaN 衬底的反向漏电流得到抑制。以600V时漏电流1μA以下为标准，市售GaN衬底良率为33%，而住友的GaN衬底提高了72%。
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