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来源:第三代半导体风向发布时间:2022-03-281459浏览
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据韩国Senic公司透露,此前全球仅有4家公司能够全工艺自主量产6英寸SiC晶圆(.点这里.),今天宣布量产6吋碳化硅衬底厂商又多了一家,而且实现了衬底+外延的整合。

量产6吋衬底
投入3.4亿扩产
3月28日,昭和电工宣布,已经开始量产6英寸(150 mm)功率半导体SiC单晶衬底。昭和电工表示,他们是全球最大的SiC外延片制造商,他们一直在考虑内部生产SiC衬底,因为这有助于提高SiC外延片的质量和建立稳定供应系统。
加入碳化硅大佬群,请加VX:hangjiashuo666而今天,昭和电工正式对外宣布,他们已开始量产6英寸SiC衬底,以响应多个客户的需求,为他们提供基于自身6英寸SiC衬底的SiC外延片。这次扩产早有预告。2021年8月,昭和电工宣布发行3519万股新股,募资约64.56亿人民币。从昭和电工公布的计划投资细则来看,碳化硅衬底方面的扩产资金约为3.4亿人民币(.点这里.)。
不过,该扩产项目预计要到2023年12月完工。因此,昭和电工在公告中还提到,“为满足市场旺盛的需求,我们将继续向合作伙伴采购SiC晶圆,以丰富我们的材料供应商,并建立稳定的 SiC 外延片供应体系。”技术源自新日铁
基于PVT生长技术
据行家说“三代半风向”了解,昭和电工的碳化硅衬底技术来源有2个部分:一是2010年至2015年,他们加入了日本经济产业省发起的“实现低碳社会的新材料功率半导体项目”,开始研发碳化硅单晶。二是接管了新日铁住金集团的SiC单晶资产。2007年,新日铁就开发了4英寸SiC晶片;2011年12月,又在实验室中开发了6英寸碳化硅单晶。不过2017年8月份,新日住金因经济问题宣布退出碳化硅领域,将PVT法相关资产转移给昭和电工。
插播:参编《2022碳化硅(SiC)产业调研白皮书》,点文末“阅读原文”!
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