三星抢先量产3nm工艺，台工研院专家喷其为假量产！

昨天，三星电子在官网宣布，公司位于韩国的华城工厂已经开始大规模生产采用全环栅极 (GAA) 晶体管架构的 3 纳米 (nm) 工艺芯片，三星成为全球首家量产3nm芯片的公司。

这意味着，在新一代芯片工艺的节点上，三星成功实现了对台积电的超越，抢先拿下了3nm芯片市场。根据三星官方介绍，在3nm芯片上，其放弃了之前的FinFET架构，多桥通道 FET (MBCFET™) 是三星首次实施的 GAA 技术，它突破了 FinFET 的性能限制，通过降低电源电压水平来提高功率效率，同时通过增加驱动电流能力，三星表示GAA 非常有利于设计技术协同优化 (DTCO)，有助于提高功耗、性能、面积 (PPA) 优势。与5nm相比，三星称3nm工艺能够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能。由于3nm芯片设计挑战非常大，三星表示将与 其SAFE™ 合作伙伴一起为客户提供 3nm 设计和服务，以帮助客户减少设计、验证和签核过程所需的时间，同时提高产品可靠性。台积电的3nm工艺依然采用的是FinFET架构，同时，台积电已经宣布计划于2025年实现2nm工艺芯片的量产，所以两家公司在先进工艺上市你追我赶的势态。对于三星抢先量产3nm GAA工艺，韩国媒体及专家自己表态积极，但台湾地区的分析师态度就不一样了，工研院产科国际所研究总监杨瑞临认为三星就是假量产、赶鸭子上架。之所以这么评价，杨瑞临认为GAA晶体管生态目前完全没有成熟，相关的蚀刻及测量问题还没有解决，材料、化学品也要提升。此外，他也不看好三星3nm GAA工艺的原因还跟成本有关，认为三星现在这样做会增加成本，交付期延长，良率提升慢，品控也不见得好，进而导致三星难以对客户报价，目前3nm GAA工艺只有三星自己在用，不会有外部的客户使用。

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