美光今年将在日本生产尖端的“1 beta”存储芯片

日经亚洲评论6月11日报道，美国存储器大厂美光将在今年下半年于日本量产“1-beta”制程的次世代DRAM。

美光执行副总裁兼事业长Sumit Sadana指出，美光正在与日本政府和商业伙伴协调，今年下半年在日本广岛新厂量产“1-beta”制程的次世代DRAM。

Sadana提到，美光在日本生产先进DRAM有很多积极因素，好比成熟的半导体产业和广岛人才库，美光有意持续在日本制造先进DRAM。

1α制程DRAM的存储器容量较前一代（1z制程）提高40%，推出时震撼业界，未来存储器创新奠定绝佳基础，而1beta是1alpha的改良版。

美光研发部在美国，制造基地主要在中国台湾地区和日本广岛。目前美光正积极在日本扩建DRAM新厂，投资总额预估达6000亿至8000亿日元，预期日本政府将提供资金援助，未来十年在全球投资1500亿美元。

此外，美光周五首度开放媒体参观台中A3新厂，中国台湾地区美光新任董事长卢东晖表示，下半年会将EUV机台引入A3厂区，研发走廊，并在未来2至3年增聘2000名员工，加码投资中国台湾地区。

卢东晖表示，他上任的优先目标之一是加快1beta与1gamma制程的投产和量产，目前A3厂区已量产1alpha制程DRAM，1beta制程预计明年量产，1gamma则要等到2024年。

美光看好云端需求及汽车芯片应用，存储器芯片未来需求长期看多，旗下DRAM及NAND快闪存储器后市前景极佳。