3D NAND进入200层堆叠竞争 QLC另类窜出

随着NAND Flash位元需求成长及成本追求，国际NAND Flash大厂即将进入200层以上3D NAND堆叠制程的激烈竞争，美光(Micron)、铠侠(Kioxia)和威腾电子(WD)相继释出NAND技术进程规划，市场预期，三星电子(Samsung Electronics)最快可望于2022年底迈向200层以上3D NAND的路线，不过受到堆叠层数推高带来技术障碍提升，未来各大厂3D NAND制程恐难维持直线跃进，强调性价比的QLC NAND可望成为NAND厂重点布局产品，预计2023年QLC NAND在消费性SSD比重上看至2成。

在美光率先量产176层NAND之后，三星、SK海力士(SK Hynix)也相继跟上量产脚步，成为3D NAND量产的主流制程节点，近日美光更首发宣布将于2022年底进入232层NAND Flash，采用3D TLC架构，原始容量为1Tb(128GB)，并在2023年推出搭载232层NAND的SSD产品。

相较之下，铠侠与威腾在3D NAND堆叠脚步较为缓慢，预计2022年底前开始量产162层NAND，虽然层数不及176层，但威腾表示，将采用新材料以缩小储存单元尺寸，进而缩小芯片尺寸。

业界指出，虽然NAND Flash从2020年以来的平均价格相对平稳，并受惠于疫情推升电子产品以及云端需求，带动NAND需求位元及整体产值维持连续成长，但连续2年申请IPO均一波三折遭到延迟的铠侠，却面临庞大压力，由于各家NAND厂竞争态势并未放缓，包括透过技术制程、策略合并或新厂建置等方式提升竞争力，加上新兴竞争者长江存储带来威胁遽增，2022年将直指192层NAND目标，新增打入苹果(Apple)供应链更加剧产业竞争白热化。

据悉，过去并不追逐堆叠层数的铠侠，近期决定将加速提前3D NAND堆叠制程的进度，将从162层BiCS6直接跳过BiCS7，挑战新一代200层以上的里程碑。近期铠侠与威腾宣布，未来双方将合作推出200层以上(BiCS+)产品，与BiCS6相比，200层以上BiCS+位元将增加55%，传送速率提高60%，写入速度提高15%，除了将率先应用于数据中心领域，威腾也将推出应用于消费者领域的200层以上产品(BiCS-Y)。

在美光及铠侠相继释出技术路线图之后，据传，三星最快将于2022年底~2023年初推出第八代V-NAND，堆叠层数将超过200层，不过具体层数仍众说纷纭，先前预期是228层，近期则传出是224层，相当于在128层基础再加上96层的架构，届时数据速度将提升30%。

尽管美光在NAND Flash制程节点的路线图已规划至232层、2YY、3XX与4XX等，其他NAND厂如SK海力士也曾指出将推进至500层以上，不过供应链认为，在跨越200层以上堆叠制程后，未来逐年升级的脚步有困难，可能将转为2年为一时代，这也意味着QLC NAND变得比较重要。

受到高堆叠的投资金额大增，NAND厂更倾向于沿用同一个堆叠制程的投资设备，在TLC NAND之后，再由QLC继续接棒，且价格也更能符合成本竞争，包括三星也可望于2023年积极推出QLC NAND产品，随着NAND大厂力拱QLC NAND，预计2023年消费性SSD将站上20%占比，并逐年增加，至于企业级储存的SSD，也可望于2024~2025年采用大量QLC NAND设计，并着重于读取的储存需求，发挥价格竞争力的优势。

责任编辑：陈至娴