尼克森：冲刺第三代半导体

据台媒报道，MOSFET厂尼克森持续冲刺第三代半导体市场，2022年公司将投入第二代1200V的碳化硅Power MOSFET平台、650V的绝缘栅双极晶体管（IGBT）及氮化镓（GaN）等相关新品，可望持续替未来持续成长的工控、车用电子市场打下技术基础，推动后续业绩维持成长动能。

尼克森近年来开始扩大布局第三代半导体市场，除先前的SiC、IGBT等产品线外，进入2022年后，根据尼克森最新公布的年报中显示，公司已开始着手开发第二代碳化硅1200V的Power MOSEFT、650V的IGBT及氮化镓600V等产品线。

法人指出，目前尼克森在第三代半导体市场虽尚处于少量出货阶段，但随着车用电子及工业用市场都开始大量导入SiC、GaN等产品，后续市场规模将有望逐步延伸到物联网、消费性等市场，尼克森可望透过提前布局的基础，快速切入其中，藉此带动营运稳健向上成长。

尼克森公告4月合并营收达2.54亿新台币、月增1.8％，写下三个月以来高峰，相较2021年同期成长4.3％。累计2022年前四月合并营收为10.22亿新台币、年增3.2％，创11年以来同期新高。

法人指出，虽然2022年的笔电、消费性市场需求逐步放缓，不过目前MOSFET市场需求仍相当热络，加上晶圆代工厂产能依旧维持吃紧状态，且尼克森已经在最新公布的年报当中指出，公司将会扩大工业用电源管理及充电等市场，并持续开发第三代半导体材料技术等相关产品线，因此后续营运仍有望持续向上成长。

尼克森公告第一季财报，单季合并营收为7.67亿新台币、年成长2.8％，毛利率31.2％、年增2.4个百分点，毛利率连续两季站在30％以上的相对高档，归属母公司净利1.52亿新台币，相较2021年同期大幅成长68.3％，写下单季历史新高。