前不久东芝/西数、英特尔都宣布了新一代NAND工厂建成，主要生产96层3D NAND闪存，现在SK Hynix的新闪存工厂M15也来了，明天也就是10月4日就会举行竣工典礼，初期生产72层堆栈的3D NAND闪存，但是明年初就会转向96层堆栈3D NAND闪存。M15是SK Hynix前几年宣布的“十年46万亿投资”计划中的一部分，M15工厂主要生产3D NAND闪存，2020年还会有M16工厂建成，主要生产DRAM内存。
早在2015年8月份的时候，SK Hynix在当时全球最大的存储芯片工厂M14落成时宣布了46万亿韩元（当时约合382亿美元）的十年期投资计划，M14工厂位于韩国利川市，主要生产DRAM内存，投资15万亿韩元，而在忠清南道的清州市还会建设一座3D NAND工厂M15，利川市未来还会再建设M16工厂，主要生产DRAM芯片。
来自韩国媒体的报道称，清州市的M15工厂将在10月4日举行竣工典礼，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。初期将生产现在的72层堆栈3D NAND，不过明年初就会转向96层堆栈的3D NAND闪存，后者是目前最新一代的3D NAND技术，与72层NAND闪存相比，在速度、容量及能效方面提升了30-40%。
随着全球NAND闪存的需求增长，主要的厂商都在加大对NAND闪存的投资。三星在中国西安投资70亿美元建设了第二座NAND工厂，预计明年底在西安开始生产48层到64层堆栈的NAND闪存。东芝最近在日本建立了类似的NAND工厂，YMTC长江存储完成了32层NAND闪存的开发，计划今年底开始生产。
对SK Hynix公司来说，M15工厂的建成也有助于他们减少对DRAM内存的依赖性，今年Q2季度该公司占据全球DRAM内存市场份额的29.6%，NAND闪存市场排名第四，份额为11.1%，去年DRAM内存占了公司利润额的90%。
