【全球存储观察 | 每日看点】NAND盖楼大赛从未停止过，并且在芯片短缺的当下愈演愈烈。
这不，三星电子将在2022年底推出200层以上的第8代NAND闪存。
你方唱罢我登场！三星电子将在128层的单片存储器上叠加96层，推出224层的NAND闪存。与上一代176层NAND产品相比，224层NAND闪存可以将生产效率和数据传输速度将提高30%。
三星电子原计划在2021年末开始量产176层NAND，但考虑到市场情况，推迟到2022年第一季度。
此外，美光科技已经早抢先了一招，176层NAND开始量产出货了。
业内人士预测，三星电子将加快200层以上NAND闪存量产的步伐，以夺回技术领先地位。但是这个预测却并不令人乐观，原因很简单，大家都在抢跑，就看谁的研发创新的体力更好罢了。
其实，在NAND领域的竞争，不仅三星电子与美光科技看重，同时，包括三星、美光、Intel、SK海力士、东芝、西部数据（SanDisk）等在内的所有全球闪存颗粒顶级厂商都看重3D NAND产品创新。
比如SK Hynx的4D NAND采用了电荷捕获型（Charge Trap Flash，CTF）的闪存技术，首创电荷捕获型CTF技术与Peri Under Cell(PUC)技术结合，不过，SK Hynix宣称的4D NAND Flash，本质上仍是3D NAND Flash，命名4D只是强化商业营销的一种手段。
CTF技术可减少记忆单元(cell)间的干扰，解决2D NAND使用浮栅(Floating Gate,FG)技术遭遇的限制。PUC本是Peri排线技术，可以缩小产品本身的体积，自然就实现了节省生产成本的目的。所以4D NAND Flash的宣称也是事出有因的。
当然对于SK Hynix来说，已经使用了电荷捕获型（CTF）技术设计好几年了，所以它不是新的技术采用，之前Micron和Intel是主要是两个使用浮栅FG技术的NAND闪存制造商。此外，Intel独创的傲腾技术路线，也已经赢得了全球市场，这里不得不让众多闪存友商所艳羡。
需要指出的目前美光将使用自己的栅极替换工艺Replacement-gate技术，业内专家指出，这也是Charge Trap Flash（CTF）技术设计。与此同时，更有意思的是，三星的Gate-last工艺也包含了栅极替换工艺Replacement-gate的技术。
从3D NAND技术架构来看，现在3D NAND常见的分为VC垂直通道、VG垂直栅极两种架构。架构不同，对于3D NAND的可靠性设计略有一点区别，但闪存的本质是没有区别的。因为毕竟是采用堆栈来扩大单位面积上的闪存容量大小的，目前业界知名的闪存厂商采用了NAND堆栈层数越多，对于闪存可靠性要求的挑战越高。
不过，2022将成为NAND Flash疯狂抢跑之年，三星、美光、Intel、SK海力士、东芝、西部数据谁将成王者？我们拭目以待。
（by Aming）
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