韩国媒体报道，全球最大内存制造商韩国三星预计6月前，完成1c DRAM（第六代10纳米级，11纳米）开发目标，拉开与对手的差距。
韩国媒体《BusinessKorea》报道，三星已通知半导体研究人员，决定跳过或放弃1b DRAM（第五代10纳米级，12纳米）开发。
三星放弃1b DRAM开发后，立即加速开发1c DRAM产品，市场视为扩大与竞争对手SK海力士和美光科技等竞争对手的技术差距。
这不是三星第一次决定跳过DRAM开发节点，挑战更高技术。以前三星放弃28纳米DRAM量产，转向25纳米DRAM产品开发。分析人士表示，三星要仿照以前方法，10纳米级区间做同样的事并不容易，必须有比过去更先进的技术才能完成。
三星面临要领先其他公司开发1c DRAM的压力，因三星1a DRAM（第四代10纳米级）产品开发与量产落后竞争对手，不过三星仍扳回颓势，成功量产比竞争对手体积更薄的1a DRAM。
(首图来源：三星)
