DRAM制程撞纳米高墙 三星传放弃1b DRAM研发

三星电子(Samsung Electronics)传在1b(12～13纳米)DRAM开发遇阻，可能修改产品轨道与战略。存储器是三星半导体核心业务，若无法在技术上拉大与竞争对手的差距，市场主导地位很可能亮起红灯。

据韩媒Financial News报导，负责三星半导体初期开发的半导体研究所，最近中断1b DRAM研发。三星2021年进入1a(14纳米)DRAM量产，自2021年下半，成立1b DRAM任务小组(TF)，负责下一代12～13纳米1b DRAM研发，无奈最终无法突破纳米技术高墙。

传计划相关负责人，日前向研究人员发送电子邮件，告知放弃1b研究，间接承认研发失败，但强调之後会就研究方向进行讨论。

存储器价格不断波动，业者多以维持大规模投资、提升生产力克服。三星长期以来强调「超格差」战略，即以领先1～2年的技术与低廉生产成本技压对手。随着新一代DRAM技术开发遇阻，未来三星战略恐不可避免进行产品轨道及策略修正。

不过这并非三星第一次开发DRAM技术遭遇困难。过去三星曾放弃28纳米DRAM，却直接跳至25纳米DRAM。然而，这也只是20纳米级时代的老故事，因目前已进入10纳米级，技术难度远高於20纳米级。2019年三星成功挺进15纳米(1z)DRAM，但直到2021年，才成功量产14纳米(1a)DRAM，仅1纳米之差就花了2年。

原本三星打算藉成功开发1b DRAM，拉大与SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)的差距。预料此次三星在1b DRAM开发受阻，将给後方追兵绝佳的机会。目前DRAM排名前三大业者为三星、SK海力士及美光，这些业者纷纷在2021年宣布1a DRAM量产，业界正高度关注，谁能率先量产1b DRAM，主导市场技术发展。

对於业界传闻，三星相关人士表示，身为DRAM的领先业者，自然会设定极具挑战的1b DRAM目标，尽管可能修正技术开发蓝图，但三星先进制程技术仍领先竞争对手。

责任编辑：张兴民