中微公司：刻蚀、MOCVD、薄膜沉积、EPI齐头并进

事件：3月29日，公司发布2021年年报，营收31．08亿元，同比增长36．7％；归母净利润10．11亿元，同比增长105．5％；扣非归母净利润3．24亿元，同比增长1291％；2021年新签订41．3亿元，较2020年增加约19．6亿元，同比增加约90．5％。

刻蚀设备营收增长超五成，MOCVD毛利率大幅提升。受益于半导体设备市场发展及公司产品竞争优势，2021年刻蚀设备收入为20．04亿元，同比增长约55．4％，毛利率达到44．32％。MOCVD收入5．03亿元，同比增长1．5％，主要由于下游市场原因以及本年度新签Mini LED MOCVD订单尚未贡献收入，但毛利率达到33．77％，较2020年的18．65％实现大幅提升。

刻蚀订单稳步增长，CCP设备市占率持续提升，ICP工艺研发迈向先进制程。公司2021年共生产付运CCP刻蚀设备298腔，产量同比增长40％，在部分客户市场占有率已进入前三位。该设备广泛应用于64层及128层3D NAND的生产线，随着3D NAND芯片制造厂产能的迅速爬升，该产品的重复订单稳步增长。ICP设备方面，2021年公司共生产付运设备134腔，产量同比增长235％。其中Primo Nanova完成超过百次的工艺验证，累计交付超过180台反应腔。此外，Primo Twin－Star、Primo TSV200E、Primo TSV300E设备均继续获得重复订单并拓展市场验证范围。公司有序推进进行下一代ICP刻蚀产品的技术研发，以满足5nm以下的逻辑芯片、1X nm的DRAM和128层以上的3D NAND存储芯片等产品的ICP刻蚀需求，并进行高产出ICP刻蚀设备的研发。

Mini LEDMOCVD获超180腔订单，积极布局Micro LED、三代半功率市场。2021年6月公司正式发布用于高性能Mini LED量产的MOCVD设备Prismo UniMax，已收到批量订单合计超过180腔。同时，公司正在开发针对Micro LED应用的专用MOCVD设备，并积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备市场，开发GaN功率器件量产应用的MOCVD设备，目前已交付国内外领先客户进行生产验证。

CVD和EPI研发稳步推进，计划开发布局ALD和ALE设备。公司应用于金属互联的CVD钨制程设备能力已能够满足客户工艺验证的需求，正与关键客户对接验证；LPCVD和EPI设备研发进展良好，EPI设备已进入样机的设计、制造和调试阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。同时，基于CVD设备，公司计划开发ALD和ALE设备，实现更高深宽比和更小的关键尺寸结构的填充和刻蚀，以满足高端逻辑器件和先进存储芯片的需求。

践行外延式发展策略，积极投资相关领域，完善公司业务布局。公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得良好的进展，得到市场和用户的高度评价。同时公司积极探索相关领域的投资机会，公司参股投资的沈阳拓荆、山东天岳、德龙激光等项目营运表现良好，其中山东天岳已在科创板挂牌上市，沈阳拓荆、德龙激光已获得科创板上市注册批复。此外，公司1．08亿元增资上海睿励，进一步巩固产业链协同效应，完善了公司的业务布局。

再融资81．18亿增强资金实力，研发投入营收占比超两成。公司于2021年向特定对象发行股票，扣除发行费用后的募集资金净额为81．18亿元，大大增强了公司的资金实力，为公司后续发展奠定坚实的资金基础。随着募集资金到位，公司不断提升研发投入水平和产品科技创新水平，全年研发投入为7．28亿元，占收入比例为23．4％，同比增长13．8％。

投资评级与估值：预计公司2022年－2024年营业收入48．0／65．0／85．0亿元，归母净利润分别为11．0／14．5／16．4亿元，维持“推荐”评级。

风险提示：（1）行业竞争加剧风险；（2）技术研发不及预期风险；（3）下游景气度不及预期风险。

原文标题 : 中微公司：刻蚀、MOCVD、薄膜沉积、EPI齐头并进