罗姆功率半导体战力齐 GaN入列2022春量产

罗姆半导体(Rohm)将在2022年春，量产氮化镓(GaN)功率半导体。罗姆原本在化合物半导体中掌握碳化矽(SiC)晶圆到元件制造的整合性发展，现在将把触角延伸到GaN。东芝等日本功率半导体制造商也在加紧投资碳化矽功率半导体。

日经新闻(Nikkei)、日刊工业新闻(Nikkan)等报导，罗姆为了在2022年春量产GaN功率半导体，将把生产设备引进位於日本静冈县滨松市的工厂，首先量产的150V GaN HEMT，将针对5G基站的需求。

罗姆即将生产的GaN功率半导体，目前并非针对铁路车辆、纯电动车等的高电压与大电流需求，而是因应频繁开关切换电流的数据中心与无线通讯基站需求。GaN功率半导体比原本的矽材料功率半导体，在切换电流开关时可降低能源损失60%，罗姆采用的独特设计，也可让元件在电压升高时也不容易耗损。量产所需的晶圆，是让GaN磊晶长在矽基材上的GaN-on-Si制程，预计将由罗姆的滨松市工厂在内的海内外工厂生产。

罗姆估计GaN功率半导体2030年将达1,000亿日圆(9亿美元)市场规模，罗姆的目标是取得10%市占。

除了GaN，罗姆原本就在SiC功率半导体领域，透过研发与购并等方式，掌握从晶圆片、磊芯片、IC设计到元件制造的一条龙制程，更决定将在2025年把SiC功率半导体产能增加到原来的5倍以上，为此投资500亿日圆，且位於日本福冈县筑後市工厂的SiC半导体新厂房已完工，2022年内投产。如今罗姆再进军GaN，未来在功率半导体的产品线将更完整。

除罗姆之外，日本政府与多家厂商也把功率半导体视为发展重心之一。例如东芝已宣布将投入约1,000亿日圆，在2024年度(2024/4~2025/3)前於日本石川县的半导体工厂内新建厂房，以12寸晶圆产线生産功率半导体。依照中期经营计划，到2025年度5年内东芝将设备投资共2,600亿日圆，提高功率半导体产能至2020年度的1.7倍左右。东芝在日本兵库县姬路半导体工厂的SiC功率半导体产能，到2023年度要提升到2020年度的3倍以上，并希望尽快提升到10倍以上。