UltraRAM技术新突破 RAM与储存单元合而为一

英国兰卡斯特本科（Lancaster University）物理工程系日前发表有关UltraRAM研究的最新进展。UltraRAM技术能将RAM与储存单元结合，透过记忆内运算减少数据在处理器、存储器与非挥发性储存单元间移动的需求，提升装置性能。

据TechSpot报导，过去运算装置的存储器与储存单元多是分开运作，尽管有英特尔（Intel）的Optane、三星电子（Samsung Electronics）的Z-NAND，以及铠侠（Kioxia）、Western Digital尝试将两者结合在消费者或企业市场上推出，但成效都相当有限。一项称为UltraRAM的新型非挥发性存储器技术潜力虽备受看好，但目前离商业化仍有段差距。

UltraRAM不仅有Flash的非挥发性数据储存能力，也有DRAM的速度、节能、耐性等优点。兰卡斯特本科最新的突破在于，研究团队不再使用昂贵的砷化镓（GaAs）晶圆，而是成功提升了使用硅基板时的UltraRAM性能，大幅提升UltraRAM的成本效益。

经测试，研究团队打造的UltraRAM原型装置可提供1,000年的数据保存能力，并维持超过1,000万个写入、抹除周期的无退化耐久度。再加上媲美传统RAM的速度，这项研究渴望能引起许多科技厂商的兴趣。

UltraRAM的另一项优势在于，它能利用共振穿隧的量子机械效应减少电力消耗，如果使用在移动设备便能延长电池的续航力。UltraRAM技术的优势还包括，它更有利于打造高位元密度的精简架构，制造商在单一芯片上配置的存储器容量将能借此提升。

责任编辑：张兴民