页面加载中,请稍候
来源:第三代半导体风向发布时间:2021-12-071559浏览
询问 AI
能华:
完成数亿融资,将建第二个FAB厂
据36氪12月7日报道,江苏能华微电子最近完成了C轮融资,融资金额高达数亿元,资金将用于建设第二个FAB厂。本轮融资由中信证券投资、金石投资旗下金石制造业转型升级新材料基金联合领投,广州越秀产业基金、广发信德旗下基金、势能资本跟投,老股东上海善金、中信建投跟投。能华微电子成立于2010年,采用IDM模式,产品包括硅基氮化镓外延片、碳化硅氮化镓外延片、氮化镓功率场效应管、氮化镓射频场效应管、GaN快充电源模块设计等。据介绍,2013年,能华微电子建立了国内首条氮化镓研发中试线,2016年6月启动了GaN功率器件6英寸生产线,2018年1月启动GaN外延8英寸研发和生产线(.点这里.)。
36氪报道提到,预计第二个厂区建成投产后,能华的氮化镓月出货量将达到3万片。晶湛:
总部大楼奠基
最近,另一家国内氮化镓企业也加快了产业化步骤。12月2日,晶湛半导体官微显示,其总部大楼开工奠基,预计建成后将成为全球领先的氮化镓外延研发生产基地。
据了解,晶湛半导体是一家GaN外延材料生产商,于2012年3月创办,2年后率先在全球首次发布商用8英寸GaN-on-Si HV HEMT外延片。前不久,晶湛半导体还展示了12英寸、1200V的硅基GaN外延片(.点这里.)。据苏州政府消息,晶湛半导体拟投资2.8亿元扩建氮化镓外延片生产项目,年产能达24万片,2021年11月开始建设。
该项目计划生产6寸和8英寸氮化镓外延片,年产能均为12万片,用于制造微波功率器件和电力电子功率器(.点这里.)。新闻来源:第三代半导体风向,文中所述为作者独立观点,不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj。
暂无评论哦,快来评论一下吧!
2026-06-12