24万片/年！8寸GaN项目开建

昨天（11月1日），据苏州官方消息，苏州晶湛半导体有限公司拟投资2.8亿元进行氮化镓外延片生产扩建项目，年产能达24万片，本月即将开始建设。

据了解，该项目计划生产6寸和8英寸氮化镓外延片，年产能均为12万片，用于制造微波功率器件和电力电子功率器。该项目总建筑面积约22250.50m2，预计2021年11月开工建设，2023年2月完成建筑施工，建设周期约18个月。此外，据《无锡日报》报道，10月7日，晶湛的氮化镓外延材料研发和产业化项目落户无锡。据晶湛官网显示，晶湛半导体成立于2012年，两年后就率先在全球首次发布商用8英寸GaN-on-Si HV HEMT外延片产品，是国内GaN外延领域的领先企业。截至目前，晶湛已完成A+轮融资，用于扩大生产规模，150mm的 GaN-on-Si 外延片的月产能达1万片。目前，晶湛已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。 而前不久，晶湛半导体还展示了12英寸、1200V的硅基GaN外延片，为采用主流的12英寸CMOS生产线制造GaN HEMT晶体管铺平了道路。

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