士兰微：IGBT持续发力（附深度）

国产替代加速，产品出货量持续增长。公司积极扩大产能，集成电路和分立器件等产品出货量持续增长，前三季度实现营业收入52.22亿元，同比增长76.18%；整体制造规模效益逐步显现，士兰集昕8吋芯片生产线逐步扭亏为盈，士兰明芯LED芯片生产线亏损大幅减少，前三季度实现归母净利润7.28亿元，同比增长1543.39%。

依托芯片生产线，打造特色工艺制造平台。公司依托已稳定运行的5、6、8英寸芯片生产线和正在逐步上量的12英寸芯片生产线和先进化合物芯片生产线，建立新产品和新工艺技术研发团队，陆续完成了国内领先的高压BCD、超结高压MOSFET、高密度沟槽栅MOSFET、快恢复二极管、MEMS传感器等工艺的研发，形成了比较完整的特色工艺制造平台。

加快IGBT研发，拓展产品应用市场。2021年上半年，公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块，已通过国内多家客户测试，并给部分客户批量供货。公司未来将继续加快IGBT的研发，追赶国际先进水平，拓展这类产品在工业控制、新能源汽车、光伏等领域的应用。

盈利预测：预计公司2021-2023年营收73.2/100.1/130.0亿元，归母净利润10.4/13.1/15.1亿元，维持“推荐”评级。

风险提示：（1）行业竞争加剧；（2）技术研发不及预期；（3）盈利预测的不可实现性和估值方法的不适用性。