【成立】中欣晶圆半导体材料研究院成立；江阴市武汉大学长三角科技创新中心揭牌；总投资110亿元，信阳电子信息智造科技园项目开工

1.中欣晶圆半导体材料研究院成立，以半导体硅材料技术工艺研发等为主方向

集微网消息，10月28日，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司半导体材料研究院（以下简称“半导体材料研究院”）举行成立仪式。

图片来源：中欣晶圆

中欣晶圆消息显示，半导体材料研究院是由中欣晶圆建设，拟联合大学和实验室，以半导体硅材料技术工艺研发及检测分析为主方向的研究院。

据介绍，半导体材料研究院总部设立在中欣晶圆杭州总部，研究院主要研究方向为轻掺、重掺硅单晶的面向应用的物理化学研究以及单晶成型技术的开发、硅片(外延片)加工技术开发、检测分析技术开发与应用。团队成员主要以博士、硕士为主，聘请相关高校、研究院所的相关专业人员共同参与，参与人员具有半导体行业多年的研发经验，参与多类型半导体硅片项目。研发技术团队将服务半导体硅单晶相关的晶体成型、硅片(外延片)加工的工艺技术以及监测分析技术研究开发与应用。研究院以市场为导向、产学研结合，单晶、硅片加工、检测分析技术开发，与市场无缝对接的新型研发机构。

据悉，中欣晶圆是国内硅片生产领域的“全能型、链主型企业”，其产品涵盖6英寸及以下、8英寸和12英寸等全系列，所生产的抛光片和外延片主要用于逻辑芯片、闪存芯片、动态随机存储芯片、图像传感器、显示驱动芯片等核心领域，特别是12英寸外延片制造领域达到国际先进水平。（校对/若冰）

2.单项奖金1000万元，世界顶尖科学家协会奖明年颁发

集微网消息，据解放日报·上观新闻报道，11月1日，在第四届世界顶尖科学家论坛开幕式上，论坛主办方正式宣布创设“世界顶尖科学家协会奖”，首设“数学与智能科学奖”和“医学与生命科学奖”两个单项奖，每年评选一次，每个单项奖金额为1000万人民币，跻身全球奖金额度最高的科技奖之列。

图片来源：解放日报·上观新闻

据悉，“世界顶尖科学家协会奖”由世界顶尖科学家协会发起，上海世界顶尖科学家发展基金会承办，红杉中国提供独家捐赠。该奖项对标世界顶级科学大奖，定位为设立于中国、由社会力量举办、面向全球科学家、不限国籍不限年龄的国际性科学大奖，邀请世界顶尖科学家担任评审，用于表彰全球范围内在各自领域做出杰出贡献的科学家。

“世界顶尖科学家协会奖”将于2022年正式启动评选和颁奖，红杉中国将独家捐赠人民币5亿元，并承诺为奖项提供永久性资金支持。

“世界顶尖科学家协会奖”将依托其强大的全球顶尖科学家链接能力，设立管理委员会、遴选委员会和评审委员会，负责奖项的征集、初评和终审。

（校对/若冰）

3.江阴市武汉大学长三角科技创新中心揭牌，10个高层次人才科技项目签约

集微网消息，10月30日，江阴市武汉大学长三角科技创新中心揭牌暨第一批科技人才项目签约活动举行，创新中心正式揭牌运营。

图片来源：江阴科技

江阴科技消息显示，江阴市委常委、常务副市长赵强表示，江阴市武汉大学长三角科技创新中心的启用，特别是第一批科技人才项目的签约落地，必将充分发挥双方优势，激发“1+1>2”的乘数效应，为江阴布局创新“硬核”、放大科创“当量”、加快霞客湾科学城建设提供强劲动力。

中国科学院院士、武汉大学微电子学院院长、教授徐红星重点介绍了武汉大学半导体的发展历史、现状及前景，希望科创中心发挥科技载体功能，为江阴半导体行业发展做好全方位服务，赋能江阴高端产业发展，助力做大做强半导体产业。

会上，武汉大学资环学院汪的华教授团队关于“万安级二氧化碳高值资源化利用技术与装备项目”、中国科学院原子频标重点实验室主任赵峰团队“应用型原子频标项目”等在内的10个高层次人才科技项目签约。（校对/若冰）

4.总投资110亿元，信阳电子信息智造科技园项目开工

集微网消息，10月31日，信阳电子信息智造科技园项目举行开工仪式。

图片来源：今日浉河

今日浉河消息显示，信阳电子信息智造科技园项目是信阳市重点建设项目和正在审批中的省重点项目。项目规划建设面积230万平方米，总投资110亿元。项目主要建设各种电子元器件和五金配件电镀生产线、PCB生产线、半导体支架生产线等电子信息终端产品生产线。园区配套建设日净水规模4万吨的净水厂和日处理规模3.5万吨的污水处理厂以及物流中心、研发中心等。

浉河区委书记于海忠表示，此次开工的信阳电子信息智造科技园项目将承接全市以及周边市县制造业的表面处理业务，打造一个绿色、循环、可持续发展的表面处理产业园，对信阳市电子信息、智能制造产业发展具有重要意义。（校对/若冰）

5.上海微系统所等在新型碳基二维半导体材料基本物性研究中获新突破

集微网消息，上海微系统与信息技术研究所消息显示，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究人员等自2013年开展新型碳基二维半导体材料的制备研究。2014年1月成功制备了由碳和氮原子构成的类石墨烯蜂窝状无孔有序结构半导体C3N单层材料，并发现该材料在电子注入后产生的铁磁长程序；2016年初步实现AA'及AB'堆垛双层C3N的制备。

此后，他们与华东师范大学研究员袁清红团队通过近5年努力，在双层C3N的带隙性质、输运性质等研究领域取得突破，进一步证明双层C3N在纳米电子学等领域的重要应用潜力。

据介绍，该工作证明了通过控制堆垛方式实现双层C3N从半导体到金属性转变的可行性。与本征带隙为1.23 eV的单层C3N相比，双层C3N的带隙大致可以分为三种：接近金属性的AA和AA'堆垛、带隙比单层减少将近30%的AB和AB'堆垛、与单层带隙相近的双层摩尔堆垛。上述带隙变化可归因于顶层与底层C3N间pz轨道耦合下费米能级附近能带的劈裂。在双层之间相互作用势接近的前提下，价带顶和导带底波函数重叠的数目决定了能带劈裂程度，进而影响带隙。其中AA、AA'、AB 、AB'等双层C3N中，两层波函数重叠的数目存在两倍关系，带隙劈裂值为近似两倍关系。而对于双层摩尔旋转条纹结构，上下层原子基本错开，pz轨道的重叠有限，因此其带隙与单层C3N接近。 

此外，研究还发现通过施加外部电场可实现AB'堆垛双层C3N带隙的调制。实验结果表明，在1.4 V nm-1的外加电场下，AB'堆垛的双层C3N的带隙下降约0.6 eV，可实现从半导体到金属性的转变。（校对/若冰）