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来源:第三代半导体风向发布时间:2021-10-081220浏览
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前段时间,山西新增2个碳化硅项目(.点这里.),合计投资额约8.58亿元。最近,江苏南京、北京顺义、河南、山东等地又或新增5个碳化硅项目。南京:
中电科项目签约落户
根据苏州南京江宁开发区官方消息,9月27日,中电科半导体材料有限公司的“外延材料产业基地项目”签约落户江宁开发区。
中电科半导体材料有限公司是中国电子科技集团有限公司二级单位,专业从事第一代半导体硅材料、第三代半导体碳化硅、氮化镓材料及新型电子功能材料、特种光纤材料、基板材料的研发、生产。据悉,该项目占地面积约10万平方米,分两期实施,其中一期将建设成立第三代化合物外延材料等。该项目的实施单位为为中电科材料控股子公司南京国盛电子有限公司,致力于高性能半导体外延材料的研发、设计、制造和加工,多年来市场占有率一直稳居第一。南京:
将建设碳化硅外延项目
9月16日,江苏省南京市浦口经济开发区消息,密科(南京)新能源光电科技研究院有限公司与台湾先进半导体累晶等公司签约,将建碳化硅外延项目。
先进半导体累晶(SiC/ALD)项目,是以台湾工研院CVD厚膜制程技术为基础,为SiC产业提供累晶(镀膜)制程服务。据悉,该项目研发相关SiC厚膜材料及组件技术,达到关键材料及组件自主化目标;并规划开发更高性能、更低成本、更具明显替代优势的镀膜石墨托。北京:
新增第三代半导体设备项目
2021年9月17日,第三代半导体大中小企业融通发展论坛在北京顺义召开。期间,北京中科同志科技股份有限公司等参赛项目签约入驻第三代半导体材料与应用联合创新基地。

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河南:
将建碳化硅器件项目
9月10日,河南省科学技术厅发布2021年“揭榜挂帅”科技项目榜单,其中技术攻关项目包括“高效率碳化硅功率器件关键技术研发项目”。
据介绍,发榜单位为河南芯睿电子科技有限公司,该项目计划总投资1000万元,其中研发投入1000万元。该项目揭榜要求包括实现满足电力电子和电动汽车电源用SiC JBS二极管器件的研发,以及完成SiC JBS器件典型产品的流片验证和封装测试及可靠性报告分析等。山东:
碳化硅项目获30万资助
9月29日,山东威海政府公布,新佳电子有限公司的“功率半导体器件(IGBT、SiC)产业化升级项目”获得集群专项支持资金30万元,成为该市唯一一家获批该专项支持资金的企业。
据了解,新佳电子的功率半导体器产业升级化项目计划总投资3800万元,项目产品为功率半导体器件,包括IGBT模块,SiC功率模块。该项目产品的封测技术为新佳公司技术团队自主研发,部分已申请发明专利。项目完成后可新增功率半导体模块生产能力100万只/年,预计达产后可新增销售收入1.1亿元,利税1656万元。插播:『2021第三代半导体调研白皮书』已正式发布,芯塔电子、TEL、卓兴半导体、理想汽车、三安光电等企业参编,点击下方“阅读原文”抢先阅读。
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