7.3亿、3000万只！新洁能SiC项目即将开建

前段时间，无锡新洁能股份有限公司拟募资不超过14.5亿元，用于建设碳化硅产业化项目（.点这里.）。最近，新洁能的SiC项目正式过审，即将开建。

1月6日，无锡市政府新吴区公布了多个项目的环境影响报告表，其中包括无锡新洁能股份有限公司的2个碳化硅相关项目。

环评报告显示，目前，新洁能一厂区的设计研发生产能力如下，其中SiC SBD设计产能为691.2万颗/年、SiC MOSFET为134.4万颗/年。

为了因应市场需求，新洁能计划扩产，在二厂区新增上述3个项目。

▲ “SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化”项目

该项目总投资约2.23亿元，2022年开建，2024年建设完成；项目建成后，年产 SiC/GaN 功率器件2640万只。

该项目在原有封装厂房内生产，建筑面积29700平方米，将引进晶圆研磨机等进口设备56台套，购置测试分选机等国产设备73台/套，购置软件7台/套。

▲ “SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块的研发及产业化”项目

该项总投资约5.08亿元，项目建设期为36个月，将年产362.6万只SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块（含车规级）。

该项目新增用地面积33394平方米，引进晶圆贴片机等进口设备和DCB基板测试机等国产设备。