三星电子在与哈佛大学研究人员共同撰写的一篇论文中提出了一种模拟人脑芯片的愿景，以开创下一代人工智能半导体技术。
该公司周日表示，三星高等技术学院研究员、哈佛大学教授Ham Don-hee、哈佛大学教授Park Hong-kun、三星SDS CEO黄成宇和三星电子副董事长Kim Ki-nam共同撰写的论文《基于复制和粘贴大脑的神经形态电子学》发表在《自然电子》杂志上。神经形态工程旨在设计一种受大脑启发或模仿其神经元网络的半导体芯片，目的是再现大脑的高阶功能，例如认知和推理。该论文提出了一种新方法，通过使用开发的纳米电极阵列复制大脑的神经元连接图，并将该图粘贴到固态存储芯片的高密度三维网络上。据三星电子称，可以通过纳米电极读取神经元之间产生的精细电信号，并根据读数绘制神经网络图。一位公司官员说，作者通过将复制的神经网络图粘贴到内存芯片中，提出了神经形态半导体系统的全新概念，其中每个内存都充当神经元之间的接触点。该论文还建议使用尖端半导体技术最大化内存密度，包括三维闪存堆叠技术和应用于高性能 DRAM 的硅通孔 (TSV)，以分析在神经网络中测量的大量信号。
