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来源:第三代半导体风向发布时间:2021-09-2452浏览
询问 AI最近，有2家上市公司发布公告，要加快碳化硅项目建设，合计投资近17亿元。
▲ 斯达半导体：35亿融资申请获审批通过，将投资12亿元，建年产6万片碳化硅器件项目。
▲ 民德电子：募资5亿元，建年产3.6万片碳化硅器件项目。
斯达募资35亿元
建年产6万片项目
9月23日，斯达半导发布公告称，本次非公开发行A股股票申请获得审核通过。
据公告，斯达将募资35亿元将用于建设4个项目。“三代半风向”此前报道提到，与碳化硅相关的项目有2个，包括“SiC芯片研发及产业化”和“功率半导体模块生产线自动化改造项目”，合计募资金额为12亿元。（.点这里.）。而“SiC芯片研发及产业化”项目总投资金额为5亿元，预计将形成年产6万片6英寸SiC芯片生产能力，项目实施主体为嘉兴斯达微电子有限公司。
民德募资5亿元
建年产3.6万片项目
9月22日，民德电子发布公告称，本次向特定投资者发行 A 股股票募集资金总额不超过5亿元，投资项目包括：“碳化硅功率器件的研发和产业化项目”、“适用于新型能源供给的高端沟槽型肖特基二极管产能的提升及技术改进项目”及补充流动资金。
据公告内容，民德电子本次募集资金投资包括“碳化硅功率器件的研发和产业化项目”，计划形成6英寸碳化硅晶圆年产能3.6万片。碳化硅项目将主要生产600V-1700V碳化硅肖特基二极管、碳化硅 MOSFET等产品，产品主要应用于光伏逆变、电源无功补偿、汽车电子等领域。民德电子表示，碳化硅项目总投资3.9824亿元，达产后可实现年均营收6.05亿元，年均净利润0.53亿元。
本项目总投资39824万元，拟使用募集资金28000万元：
募集资金将全部投资于硬件设备购置方面，全部为资本性投入。其中，硬件设备购置费主要根据项目规模、设备配置数量及型号，结合类似项目及市场报价情况进行测算，具体情况如下：
碳化硅功率器件的研发和产业化项目建设期2.5年，项目建成后，计划按20%、50%、80%、100%的进度分四年达产，达产后形成6英寸碳化硅晶圆年产能3.6万片。新闻来源：第三代半导体风向，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
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