容量轻松提升 三星3D垂直闪存技术解析

近几年随着固态硬盘迅速的崛起，与传统的机械硬盘相比，固态硬盘在速度方面的优势相当明显，但始终无法摆脱容量的限制，不过采用全新32层3D V-NAND技术的三星固态硬盘850 PRO的出现，完美的将这个问题解决了。

    850 PRO固态硬盘采用了三星电子独家专利3D V-NAND闪存技术，那么3D V-NAND到底是什么意思呢？3D是指立体存储，V指的是垂直存储，说起来就是不再追求缩小cell单元，而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元，这样也可以达到容量增多的目的。

就像是从平房到高楼

    结构方面，首先是将多晶硅晶体管垂直过来，并将绝缘体和控制栅极(Control Gate)从平面改为圆柱形，包裹住整个晶体管，然后将他们在垂直方向上堆叠起来，这样就构成了3D V-NAND的基本形态。

3D堆叠改变了闪存单元的基本结构

    此前闪存芯片采用2D平面型NAND技术，临近存储单元的堆放密度极限，三星3D V-NAND技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式，通过改进型的Charge Trap Flash 技术，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。

    三星升级3D V-NAND技术改为32层柱状细胞结构，可以垂直堆叠更多个存储单元，从而提高密度，降低碳足迹，同时还能可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度。此外，第二代32层3D V-NAND闪存的使用寿命较之SLC闪存更长，让您的应用更加安心。

现在已经可以做到最多32层