三星宣布2022年底前量产8层TSV技术堆叠DDR5内存

外电报导指出，南韩三星电子在23日举行的在全球半导体产业会议Hotchips 33上表示，三星电子将于2022年底开始量产8层堆叠的DDR5内存。

根据韩国媒体《THEELEC》报导指出，韩国三星电子将于2022年底开始量产的8层堆叠DDR5存储器。其将使用其硅通孔（TSV）技术，将512GB DDR5内存模组进一步堆叠起来。而目前该公司已经生产出4层堆叠，并采用TSV技术整合DDR4内存模组的内存，整个芯片的厚度仅1.2毫米。

报导引用三星的说法表示，尽管可堆叠到8层DDR5内存模组，但整个DDR5内存仍将比1毫米更薄。而且与DDR4内存相较，新的DDR5内存还将具有更好的散热功能，而这要归功于新型材料的应用所导致。另外，三星还在模组中也采用自己开发的新款电源管理IC来降低噪音，并使其有较优秀的功耗性能。

报导进一步指出，三星新的8层堆叠DDR5内存将具有7.2Gbps的数据传输速度。三星还应用了一种称为决策反馈均衡器的技术，以进一步提升数据传输速率，并保信号的稳定状况。另外，三星还强调，新的内存模组将以数据中心的服务器市场需求为主要供应对象。