三星七代V NAND可达176层，基于双堆栈技术持续占据自身闪存头部地位

根据韩媒报道，三星在下一代闪存芯片的开发中取得重大进展，第七代 V NAND 闪存芯片将达到 176 层，并将于明年 4 月实现量产。

这将是业界首个高于 160 层的高级别的NAND 闪存芯片，三星将因此再次拉开与竞争对手的技术差距，维持自 2002 年以来一直在全球 NAND闪存市场中排名第一的地位。



相比于上一代闪存，第七代闪存在堆栈上取得明显的进步。三星的第六代 NAND 闪存是 128 层，于今年 6 月开始量产，而第七代闪存将达到 176 层，尽管并没有达到其最初计划的 192 层，但依然有着明显的进步。

据悉，第七代 NAND 闪存采用了“双堆栈”技术，这是一种可以将通孔分成两部分的，以便电流通过电路的方法。过去的单堆栈只能有一部分通孔，随着堆栈层数的增多，工艺也随之改进。

今年 6 月，三星宣布将投资约 9 万亿韩元在位于韩国京畿道平泽工厂的 2 号线建设新的 NAND 闪存芯片生产设施，以扩大 NAND 闪存的生产线，并预计该设施将于 2021 年下半年投入运营。三星表示，将在新地点大规模生产尖端 NAND 存储芯片，可能比原计划更早开始量产第七代 NAND 闪存芯片。

平泽工厂是三星进行产能扩充的另一基地，据媒体报道称平泽 P1 已投入生产先进的 NAND Flash 和 DRAM；P2 工厂在 2020 年进行设备投资后，生产 10nm 级 DRAM，也包括建设极紫外光刻（EUV）生产线。同时，三星还在 5 月份投资 8 兆韩元开工建设 NAND Flash 产线，计划 2021 下半年开始量产先进的 V-NAND 芯片；此外，三星将开工的平泽 P3 工厂，于 6 月底已拿到了施工许可并开始准备开工的相关工作，后续具体生产何种产品尚不可知，将据市场需求而定。

与 ARAM 相比，NAND 闪存是更具代表性的存储芯片，且其存储容量随着堆栈数的郑家而增加，因此堆栈的层数也被视为 NAND 闪存的核心竞争力。

三星一直通过减少集成电路的线宽来提高存储芯片的性能和容量，引领高级 NAND 闪存的开发。

自 2006 年以来，三星一直研究 3D NAND 闪存。在存储芯片的发展过程中，随着存储数据的单元变小，当线宽小于 10nm 时，便容易受到单元同单元之间的干扰，而 3D NAND 闪存能够垂直放置在平面中排列的单元，以减少单元间的干扰。这是一种通过像公寓一样垂直堆叠现有平面结构 NAND 来增加存储容量的方法，在业界被称之为 3D NAND 闪存，被三星独立命名为 V NAND。

2013 年，三星成功量产了世界上第一个三维单元结构的 V NAND 闪存，从而改变了技术范式。当时许多人对 V NAND 闪存的商业化表示怀疑，不过现在所有的存储芯片公司都在展开激烈的 3D NAND 闪存竞争。长江存储的 128 层 3D NAND 闪存已于今年宣布量产，英特尔也有今年发布了 144 层 3D NAND 闪存，SK 海力士目前处于 176 4D NAND 研究阶段，此外还有西部数据（Western Digital）和铠侠（Kioxia）等公司也在竞争之列。

在第一代（24 层）V NAND 闪存商业化之后，三星持续增加堆栈层，目前已经发展到第二代（32 层）、第三代（48 层）、第四代（64/72 层）、第五代（92/96 层）和第六代（128 层）。通常更新一代，需要 1 到 2 年时间。

三星于去年 8 月完成 128 层 V NAND 闪存的开发，并实现量产。当时，三星宣布已经向全球 PC 公司提供了基于第六代 NAND 闪存的企业 PC 固态驱动器（SSD）。

在 NAND 闪存市场上，三星一直业界领先。去年，三星以 165.17 亿美元的销售额占据全球市场的 35.9%，在 NAND 闪存市场中排名第一，持续自 2002 年以来的领先地位。

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