三星3nm GAE芯片工艺量产时间：或在2022年

在芯片的制程工艺上，台积电、三星的竞争再次升级。台积电早就主动爆料已经在研究1nm工艺，不过其实际投产时间未定。三星的3nmGAE工艺却或许在2022年部署。

由贴吧和微博爆料可知，三星在近日举办的2021代工论坛上，展示了其最新的公共技术路线图。尽管初代3nmGAE工艺较预期晚了一年转入量产，但新路线图表明它可能仅供内部使用。同时作为3GAE的继任者，3GAP节点仍在官方路线图上，可知其有望于2023年实现量产。

（来自：微博@科技芯时空）

FinFET技术方面，5LPP和4LPP节点都是路线图上的新节点，分别将于2021/2022年开启大批量制造（HVM）。

GAA技术方面，路线图中看不到3GAE，但出现了3GAP。在与三星取得联系后，公司一位代表向AnandTech证实，3GAE技术仍有望在2022年实现量产，但不是所有人都能够用上。

此外从PPT来看，可知基于MBCFET的3GAP工艺将于2023年的某个时候，转入大批量制造阶段。

三星发言人称：“至于3GAE工艺，我们一直在与客户进行商议，预计可于2022年实现量产”。

AnandTech预计，之所以没有在公共路线图中出现，或许是3GAE仅适用于三星自家的LSI部门，就像其它一些早期节点那样。即便如此，该公司还是在PPT上提到了上一代早期节点。

据悉，三星最初于2019年5月宣布了基于MBCFET的3GAE和3GAP节点。当时该公司承诺，与7LPP相比，3GAE可提升35%的性能、减少45%的面积、同时降低50%的功耗。

然后，该公司宣布了3nmPDKv0.1的可用性，当时宣称将于2021年底开启3GAE的量产。然而最新消息称，受多方面因素的影响，三星已将之延期至2022年。

不过从好的一面来看，三星已于几周前完成了首批3nm测试芯片的流片，且宣布了与新制造技术兼容的SynopsysEDA工具。

AnandTech指出，使用全新晶体管制造工艺，始终是一项艰巨的挑战。除了新的电子设计自动化（EDA）工具，厂商还需动用全新的IP，预计后续可听到更多有关这方面的消息披露。

最后，尽管普通客户似乎要等到2023年，才会用上三星的3nm制程。但新发布的4LPP工艺，仍将于2022年满足大部分客户的需求。

由于4LPP依赖于熟悉的FinFET工艺，其面临的设计挑战，将较任何3nmGAA工艺要少得多。需要注意的是，三星已在PPT上，将其5nm和4nm节点，分别视作不同的工艺分支。

此前代工厂将4LPE视作7LPP的工艺演进，这或许是因为4nm提供了较5nm更显著的功率、性能、面积、以及成本优势（简称PPAc），亦或存在其它实质性的内部变化（比如新材料、极紫外/EUV光刻等显著提升）。

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