三星电子在10月7日宣布，已率先在业内开发出12层3D-TSV（硅穿孔）技术。该技术在保持
芯片尺寸的同时增加了内存容量。
随着
集成电路规模的扩大,如何在尽可能小的面积内塞入更多
晶体管成为挑战，其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称,他们得以将12片DRAM芯片通过60000个TSV孔连接，每一层的厚度仅有头发丝的1/20。
三星表示，这是目前最精确和最具挑战性的
半导体封装技术。
三星补充道：“利用这项新技术，可以堆叠12个DRAM芯片，同时保持与现有8层HBM2产品相同的封装厚度，即720μm。这对客户来说意味着即使系统设计没有任何变化，也可以生成高容量和高性能的产品。”
这意味着,客户不需要改动内部设计就可以获得更大容量的芯片。同时,3D堆叠也有助于缩短数据传输的时间。
三星还透露，基于12层3D TSV技术的HBM存储芯片将很快量产，单片容量从目前的8GB来到24GB。
