在市场供给缺口持续扩大情况下，利基型DRAM价格再现飙涨行情

6月8日消息，随着韩系DRAM大厂加速旧制程移转生产CMOS影像传感器，在市场供给缺口持续扩大情况下，利基型DRAM价格再现飙涨行情，5月合约价续涨9～13％，累计今年涨幅已逾50％，其中缺货最严重的2Gb x16 DDR3合约价今年涨幅已逼近90％。

由于现货价与合约价间仍有高达30～35％溢价差，业界预期合约价逐月调涨至年底，包括华邦电、晶豪科、钰创等营运看旺到第四季。

根据集邦统计，利基型DRAM因供不应求，5月合约价持续调涨，4Gb x16 DDR4合约均价上涨9％达2.45美元，4Gb x16 DDR3合约均价上涨9％达2.43美元，累计今年涨幅已达52～57％。缺货严重的2Gb x16 DDR3合约均价上涨13％达1.97美元，累计今年涨幅已逼近90％。

虽然市场认为近来新冠肺炎疫情全球蔓延情况难以控制，利基型DRAM价格涨势恐趋缓，不过实际上仍是供不应求，而且现货价在第二季已站稳3美元以上，其中4G x16 DDR4/DDR3的现货价今年累计涨幅高达80％，2Gb x16 DDR3现货价累计涨幅已达1.4倍。由于现货价与合约价间仍有高达30～35％溢价差，2Gb x16 DDR3溢价差还高达60～70％，业界预期合约价将逐月上涨到年底。

由供给面来看，三大DRAM厂去年第四季调整产品线，主要产能移转生产8Gb以上容量标准型及服务器DDR4，增加行动式及低功耗LPDDR及绘图用GDDR产出比重，策略性淡出4Gb以下容量利基型DRAM。同时，韩系大厂将旧DRAM产能移转生产CMOS影像传感器，同样导致利基型DRAM供给明显减少。

但由需求来看，应用在工控及安防的人工智能物联网（AIoT）遍地开花，包括先进驾驶辅助系统（ADAS）等车用电子及消费性电子需求爆发，相关应用仍然大量采用4Gb以下容量DDR4／DDR3等利基型DRAM。总体来看，利基型DRAM供不应求情况将延续到下半年，价格涨势将持续到年底。

三大DRAM厂减少4Gb以下容量利基型DRAM供货，系统厂及OEM厂订单大举转向台湾，包括南亚科、华邦电、晶豪科、钰创等接单全满。其中，华邦电利基型DRAM出货畅旺，第三季产能已被客户预购一空。晶豪科在WiFi装置及行动路由器的利基型DRAM及MCP扩大出货，手握低价库存有助于获利强劲成长；钰创专精型缓冲DRAM已推进至25nm，打进5G宽带通讯、人工智能（AI）终端、云端储存等新兴应用大厂供应链并量产出货中。