技术文章

摘要芯片制造的成本和工艺流程，包括前端制造过程、后端实现、普通、热或超热装配线的制造选择、监测解决方案以及成本分析。同时，对两种解决方案进行了评价，认为ProteanTecs更好。建议在总预算中拨出

来源：滤波器　2024-07-23

1．芯片（chip、die）、器件（device）、电路（circuit）、微芯片（microchip）或条码（bar）：所有这些名词指的都是在晶圆表面占大部分面积的微芯片图形。2．划片线（scri

来源：滤波器　2024-07-23

光刻胶分类及应用领域按波长分的光刻胶种类电子束光刻胶（E-beam Resists）这种光刻胶对电子束辐射敏感，通常用于高分辨率的微电子器件制造，如微纳米加工。X射线光刻胶（X-ray Resist

来源：滤波器　2024-07-23

光刻胶作为掩模进行干法刻蚀或是湿法腐蚀后，一般都是需要及时的去除清洗，而一些高温或者其他操作往往会导致光刻胶碳化难以去除。© 滤波器 微信公众号

来源：滤波器　2024-07-23

5G 基站核心部件包括基站芯片、基站天线、射频、滤波器、网优设备、功率放大器（PA）与印制电路板（PCB）等。基站芯片5G 基站芯片范围广泛，包括 CPU、FPGA、交换芯片、电源芯片、时钟芯片等。

来源：滤波器　2024-07-23

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来源：滤波器　2024-07-23

近日消息，ASML近期公布了还处于开发早期阶段的Hyper NA EUV光刻机的技术蓝图，预计最快将会在2030年推出。ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问Martin van den Brin

来源：滤波器　2024-07-23

英特尔或在2025年夺回制程技术领先地位。在英特尔的路线图中，该公司在向新制造工艺过渡方面取得了重大进展。Intel 7和Intel 4已经完成，Intel 3、20A 和 18A 将在未来几年推出

来源：滤波器　2024-07-23

在刚刚结束的第36届功率半导体器件和集成电路国际会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD），云镓

来源：钟工　2024-07-20

云镓工业级 GaN 产品器件参数解读 & 3kW服务器电源 DEMO1. 前言云镓半导体在工业级GaN产品上不断耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驱动器产品。在应用DEMO上陆续展

来源：钟工　2024-07-20