ASML最新路线图公布

近日消息，ASML近期公布了还处于开发早期阶段的Hyper NA EUV光刻机的技术蓝图，预计最快将会在2030年推出。

ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问Martin van den Brink在2024年5月举行的imec ITF World活动中，表示：“从长远来看，我们需要改进光刻系统，因此必须要升级 Hyper-NA。与此同时，我们必须将所有系统的生产率提高到每小时 400 到 500 片晶圆”。

ASML已经可用其试验性质的High NA EUV（EXE：5200）光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录（10nm线宽），而且还具有一定程度的重叠覆盖。Martin van den Brink强调，ASML当前已经取得了出色的进展，因此，对High NA EUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够继续突破其极限。

同时，Martin van den Brink还透露，ASML计划在2030年左右正式推出Hyper NA EUV光刻机，其数值孔径（NA）将达到0.75，以便实现更高分辨率的图案化及更小的晶体管特征。相较之下，High NA EUV光刻机的数值孔径为0.55，标准EUV光刻机则是0.33。对于ASML而言，“十年后，我们将拥有一个Low NA、High NA 和 Hyper NA 的共用的单一EUV平台”，借此可以进一步改善成本和交货时间。
从最新曝光的ASML光刻机路线图来看，0.75NA的Hyper NA EUV光刻机的型号的前缀为“HXE”，预计首款产品将会在2030年前后推出。
Imec 高级图案设计项目总监 Kurt Ronse 表示，这是 ASML 首次将 Hyper-NA EUV 加入其路线图，他与 ASML 合作开发光刻技术已有 30 多年。

Hyper-NA技术肯定会带来一些新的挑战，比如光刻胶，需要变得更薄。按照imec高级图案化项目总监Kurt Ronse的说法，High-NA EUV应该可以覆盖2nm到1.4nm，再到1nm甚至0.7nm的制程节点。在那之后，Hyper-NA EUV将开始接管。

新闻来源：滤波器，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。