美光、英特尔终止NAND研发合作 影响2020年浮现

Micron与Intel宣布其NAND Flash合作伙伴关系将于完成第三代3D-NAND Flash开发之后终止，各自研发未来的NAND Flash技术，但仍维持3D XPoint记忆体合作开发。

美光(Micron)与英特尔(Intel)在1月8日宣布其NAND Flash合作伙伴关系将于完成第三代3D-NAND Flash (96层)开发之后终止，各自研发未来的NAND Flash技术，以符合双方品牌产品所需，并维持Lehi厂3D XPoint的合作关系。针对该项消息，TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)指出，由于96层3D-NAND直到2019年才逐渐成为主流，研判美光与英特尔拆分结盟的决议要到2020年后才会影响双方产品的规划与结构。

DRAMeXchange表示，英特尔与美光之间的NAND Flash采购协议并未因此中止，短期内不会对双方产能的销售与分配上产生剧烈冲击。从产出端来看，后续英特尔将专注以大连厂产出供给伺服器SSD之用，而美光则拥有新加坡两座3D-NAND Flash工厂产能，并搭配生产DRAM优势，具有弹性的策略发展及产品组合。

此外，美光与英特尔尽管对NAND Flash的发展各有所需，双方仍会在3D XPoint的开发保持紧密合作，因此，也不排除未来在NAND Flash领域双方仍有合作的可能性。DRAMeXchange认为，美光与英特尔未来在独立开发NAND Flash技术后，也不排除寻求如中国厂商等其他厂商合作的可能性，以增加其市场影响力。