3D NAND储存加速行动应用发展

智慧型手机使用者不断寻求更好的行动体验，除了提升装置的处理性能以外，还需要更高容量的储存，才足以支援5G、人工智慧(AI)、扩增实境(AR)、高解析视讯等以资料为导向的新一代应用。以往容量仅16GB、32GB的智慧型手机已无法满足当前的行动应用需求，从而为3D NAND快闪记忆体(flash)的进展铺路。

Western Digital (WD)最近推出採用64层堆叠的3D NAND技术以及UFS与e.MMC介面的全新iNAND嵌入式快闪记忆体(EFD)系列，可望让智慧型手机使用者能够充份体验当今由资料驱动的新兴行动应用。

随着智慧型手机用户数持续增加，各种行动应用程式(app)的下载量、丰富的多媒体内容，以及照片和视讯撷取产生的资料量正如雪球般地越滚越大，再加上5G、AI以及AR/VR等资料密集型的新兴应用出现，不断为行动装置带来庞大的资料储存需求。

「3D NAND是快闪记忆体领域的重大进步，可为边缘装置带来巨大的储存容量与成长潜力。」WD嵌入式与整合解决方案行动和运算产品线市场管理总监包继红指出，智慧型手机一直使用嵌入式快闪记忆体储存与执行应用程式，但随着平面2D NAND技术逐渐达到微缩极限，越来越难在储存容量及其效能方面取得突破。

如今，採用创新製程架构的3D NAND技术出现，以更低的每位成本解决了平面2D NAND微缩的挑战，提供较2D NAND更高的容量、更好的性能和更高的可靠性。此外，在当今约有高达96%的资料量都必须在边缘处理的环境下，为行动装置採用3D NAND嵌入式快闪记忆体已是大势所趋。

包继红介绍，WD最新的iNAND系列採用X3 3D NAND与SmartSLC技术，可为资料密集型的新兴行动应用打造最佳储存环境。iNAND 8521专为支援5G网路的旗舰行动装置设计，iNAND 7550则瞄準主流的智慧型手机。

iNAND 8521嵌入式快闪记忆体採用UFS 2.1介面以及WD第五代SmartSLC技术，相较于为旗舰机推出的前一代产品，其连续写入速度更高2倍，随机写入速度更高达10倍。iNAND 8521能快速且智慧地回应使用者对于AR/VR游戏或下载HD影片等应用效能需求。此外，更高资料传输速率，让行动用户能利用Wi-Fi或未来的5G网路提升效能与体验。

iNAND 7550嵌入式快闪记忆体能让行动装置製造商生产符合成本效益的智慧型手机与运算装置，提供充足的储存空间，满足消费者持续增加的资料需求以及快速的app体验。iNAND 7550支援e.MMC 5.1规格，可实现最高260MB/s的连续写入效能，随机读/写效能分别为20K IOPS和15K IOPS。

3D NAND採用创新製程架构，提供较2D NAND更高的容量、更好的性能和更高可靠性(来源：Western Digital)