Toshiba与WD正在研发128-Layer3DTLC存储器颗粒

目前64-Layer3DTLC已经是主流SSD选配的存储器颗粒，用96-Layer颗粒的SSD也开始上市。然而这当然并不是终点，业界已经正在步向128-Layer的存储器颗粒了。在年初的FlashMemorySummit2019，SKHynix、长江存储已经宣布了相关的计划，现在Toshiba与WesternDigital(WD)的128-Layer存储器颗粒计划也泄漏出来了。

有资料显示，Toshiba与WesternDigital的128-Layer3DNAND，其被命名为BiCS5(96-Layer3DNAND为BiCS4)，将会使用CuA设计，与非CuA技术相比可把芯片尺寸缩小15%。目前公布出来的128-Layer3DNAND为TLC设计，存储密度接近96-Layer3DQLC，若果采用QLC设计的话则更高。

BiCS5单die采用4Planes设计，而与2Planes设计相比写入速度由66MB/s提升到132MB/s，意味着SSD在SLCCache用尽后TLC的原始写入速度也不会太难看，不过具体写入速度还需看主控的算法。

预计Toshiba与WesternDigital将会在2020年末开始投产128-LayerBiCS-5存储器，而要达到量产的话应该要到2021年。