三星开始量产使用第六代 256Gb 3-bit V-NAND 记忆体的 SSD

早些时候三星正式宣布，基于第六代 256Gb 3-bit V-NAND 内存的硬盘新品已经开始大规模量产。使用新技术的首款产品是 250GB 的 SATA SSD，其搭载的 V-NAND 采用超过 100 层堆叠，写入和读取速度分别低于 450 和 45 微秒。和三星过去 90 层堆叠的 SSD 相比，新一代的产品在性能上加强了 10%，同时功耗也降低了 15%。

据 Samsung 介绍，第六代 V-NAND 距离上一代的更新只过去了 13 个月，量产周期缩短了 4 个月之多。「在实现了尖端 3D 内存的大规模量产后，我们就可以及时引入能大幅提升速度、省电水准的内存产品。」三星电子解决方案产品开发执行副总裁 Kye Hyun Kyung 这么说道。除此之外，在新闻稿最后三星还透露，他们将会在今年下半年推出 512Gb 的 3-bit V-NAND SSD 和 eUFS 新品。