台积电2nm有新突破？效能或增加30%-40%

据媒体透露，台积电(TSM.US)2 纳米制程研发获重大突破。

供应链透露，有别于 3 纳米与 5 纳米采用鳍式场效电晶体(FinFET)架构，台积电 2 纳米改采全新的多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构，研发进度超前，业界看好 2023 年下半年风险性试产良率即可达九成，助攻未来持续拿下苹果(AAPL.US)、英伟达(NVDA.US)等大厂先进制程大单，狠甩三星。

半导体制程一路微缩，面临物理极限，业界原忧心不利摩尔定律延续，也就是过往每 18 个月推进一个制程时代的脚步受阻，使得台积电等半导体厂商先进制程发展受影响。

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三星预计年底才投入 5 纳米制程，落后台积。随着台积电在 2 纳米新制程节点有重大突破，宣示台积电将可延续摩尔定律发展，更确定未来朝 1 纳米推进可能性大增，进一步扩大与三星的差距。台积电向来不对订单等动态置评，且迄今仍低调未对外透露 2 纳米制程细节，仅表示 2 纳米将是全新架构。

业界人士指出，2020 年台湾国际半导体展(SEMICON TAIWAN)将在本周三(23 日)登场，台积电董事长刘德音受邀进行主题演讲，市场聚焦台积电先进制程研发对人工智慧(AI)、第五代行动通讯(5G)推动影响，并关注刘德音释出的台积电先进制程研发近况。

据悉，台积电去年成立 2 纳米专案研发团队，寻找可行路径进行开发，考量成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件，2 纳米采以环绕闸极(GAA)制程为基础的 MBCFET 架构，解决 FinFET 因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题，在极紫外光(EUV)微显影技术提升，使台积电研发多年的纳米片(Nano Sheet)堆叠关键技术更为成熟，良率提升进度较预期顺利。

台积电总裁魏哲家日前于玉山科技协会晚宴专讲时透露，台积电制程每前进一个世代，客户产品速度效能增加 30%至 40%，功耗可以降低 20%至 30%。

供应链认为，以台积电 2 纳米目前研发进度研判，2023 年下半年可望进入风险性试产，2024 年正式量产。台积电先前揭示 2 纳米研发生产将落脚新竹宝山，规划 P1 到 P4 四个超大型晶圆厂，占地 90 多公顷。

业界认为，台积电 2 纳米良率及效能值得期待，推出即可望获苹果、英伟达、高通(QCOM.US)、超微(AMD.US)等大客户采用，陆续转到 2 纳米投片。尤其英伟达收购安谋(ARM)后，朝超级电脑、超大规模资料中心等高速运算前进，未来将更仰赖与台积电合作。