TI LMG341xR050 GaN功率级在贸泽开售支持高密度电源转换设计

　　
　　贸泽电子备货的TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET相比拥有多种优势，包括超低输入和输出容值、可降低EMI的低开关节点振铃，以及可将开关损耗降低多达80%的零反向恢复。此器件的集成式栅极驱动器支持100 V/ns开关，实现几乎为零的VDs振铃，其微调栅极偏置电压可通过补偿阈值变化确保可靠切换。此功率级集成了一系列独特的功能，比如图腾柱功率因数校正 (PFC) 结构等密集高效拓扑，让设计人员能够优化电源性能并提高可靠性。
　　
　　LMG341xR050 GaN功率级拥有强大的保护功能，不需要外部保护元件，即可提供过热保护、瞬态电压抗扰性，并且所有电源轨都具有欠压锁定 (UVLO) 保护。此外，LMG341xR050还可提供响应时间低于100 ns的过流保护和高于150 V/ns的压摆率抗扰性。
　　
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　　作为TI授权分销商，贸泽电子提供了多样化的Texas Instruments半导体解决方案，每天都将引入新产品。贸泽电子始终致力于快速引入新产品与新技术，帮助客户设计出先进产品，并使客户产品更快走向市场。超过800家半导体和电子元器件生产商通过贸泽将自己的产品带向全球市场。贸泽只为客户提供通过全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。