160亿！湖南最大半导体项目开工

摘要：今日开工的长沙三安第三代半导体项目总投资160亿元，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。

7月20日，三安光电第三代半导体产业园项目在长沙高新区开工。　向一鹏　摄

中新网长沙7月20日电(向一鹏 何清隆)湖南最大的第三代半导体集成电路研发及产业化基地——三安光电第三代半导体产业园项目20日在长沙高新技术开发区开工。湖南省委常委、长沙市委书记胡衡华宣布项目开工，长沙市委副书记、市长、湖南湘江新区党工委书记郑建新出席开工仪式。

第三代半导体材料及器件已成为当前全球半导体材料产业的前沿和制高点之一，并引发了新一代科技变革。

项目开工建设现场。　向一鹏 摄

据悉，上述项目总占地面积1000亩，总投资160亿元(人民币，下同)，主要建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地，预计2年内完成一期项目建设并实现投产，6年内实现达产。建成达产后可实现年产值120亿元，并带动上下游配套产业产值预计超1000亿元，创造1.2万个就业岗位。

“第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，属于国家重点支持的战略性新兴产业。我们将积极抢抓半导体产业发展的重大窗口期和历史机遇期，着力解决芯片材料、设计、制造、封测、模块等领域存在受制于人及‘卡脖子’问题。”三安光电股份有限公司总经理林科闯介绍，公司将以全球尖端技术、优秀人才团队和先进设备，打造具备世界影响力的半导体集成电路研发和产业化基地，推动长沙建成世界级新一代半导体材料技术及产业发展中心。

长沙高新区党工委书记周庆年表示，该项目的实施和建成，将对长沙优化产业结构、培育发展新动能具有重要意义，对长沙积极抢占第三代半导体产业发展制高点也将产生深远影响。

来源中国新闻网