抢攻电动车市场 安森美GaN/矽功率元件并进
来源:新电子发布时间:2015-05-06229浏览
询问 AI车用电子厂商正积极在电动车领域导入新兴制程材料氮化镓(GaN)，期望能发挥其崩溃电压高、可靠度高的特性，藉以提升高功率元件效能；不过，该材料价格仍居高不下，因此安森美(ON Semiconductor)亦持续投资现有矽(Silicon)材料制程，以维持高功率元件价格水准。
安森美半导体技术长暨资深副总裁Hans Stork表示，一般来说电动车的标准伏特数为600伏特，不过从功率元件输出电压到电池的过程中会经过层层转换和大量耗损，因此积体电路(IC)的伏特数通常被要求为应用领域的四到五倍。
传统的BCD(Bipolar CMOS DMOS)制程晶圆厂大多以供应消费性电子产品为主，无法满足电动车对高功率元件的需求。Stork举例，以车用为主的BCD制程大多高于100伏特，但若是供笔记型电脑用的元件电压范围仅在20～50伏特。
高效、节能的电动车是车电业者积极发展的热门应用，却也考验业界要如何将高电压的功率元件放入现有制程，并同时满足电动车对功率元件的功率需求。GaN材料能为元件制程提供比矽更好的效能及可靠性，恰好是车用领域最看重的两大特性，不过该材料目前最大的市场商转瓶颈就是价格，同样是6寸制程，GaN和矽材料价格相比就差了十倍之多；而矽材料发展已久，生态系统完整，价格低，对于元件制造商而言还是现阶段的发展重心。
Stork也表示，安森美研发部门目前在矽和GaN两大材料的研究比例为七比三，毕竟矽在市场价格上更占上风，未来若获得政府补助将有可能提高GaN比例至50%。除了投资GaN以满足未来高电压应用需求，安森美还是希望能最大化矽制程的成本效益，因此致力于薄化矽晶片技术，以达最佳的导通电阻效果；同时也计画从6寸矽制程迈向8寸晶圆制程，一举提升矽制程的营收获利。
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