存储器西安事变，供货吃紧NAND单日最高涨一成

主要存储器芯片或产品之价格变化
大陆西安变电厂爆炸造成当地三星晶圆厂、美光及力成封测厂出现电力闪断及电功下降，预期将对存储器市场供给造成影响，存储器业界昨（20）日均以“西安事变”来形容此次跳电危机，而包括DRAM及NAND Flash报价也出现难得一见的全面上涨行情。

三星、美光、力成等业者昨日指出，对后续供货情况不会有太大影响。但存储器业界人士表示，半导体业界在过去10年当中，有关存储器晶圆厂或封测厂发生电力闪断的事件后，都出现供货吃紧问题，因为半导体设备机台跟电脑一样，电力闪断就好像插头拔起几秒再插回一样，设备就会当机或参数跑掉，至少也要1～2周时间才有办法回复原本正常运作。

所以，通路商预期后续DRAM及NAND Flash供货可能吃紧，昨日均开始提高库存水位，根据台湾、香港、深圳三地的昨日现货报价，NAND随身碟及存储卡价格涨幅最大，32GB/64GB USB 3.0随身碟公板价格涨幅达5～10％，16GB/32GB MicroSD卡价格涨幅达3～5％，32GB/64GB MLC规格NAND Flash芯片涨幅达1～3％。在DRAM部分，深圳地区DRAM模组平均涨幅达3～5％左右，DDR3颗粒价格则出现1％左右涨幅。

集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange则表示，第3季NAND Flash供货吃紧的态势愈发明显，TLC规格晶圆与存储卡价格自4月初以来已连续3个月份逐步走扬，由于时间上已进入智慧型手机备货旺季，三星西安厂短暂跳电导致供不应求预期心理，将导致第3季NAND Flash市况火热。

DRAMeXchange研究协理杨文得表示，NAND Flash原厂持续降低对于通路的供货比重，来满足eMMC/eMCP、固态硬碟（SSD）的需求，并同时积极转进3D NAND，让2D NAND的产出持续下滑，因此现货与通路市场的货源更显紧缩。DRAMeXchange预估2016年第3季的TLC晶圆及存储卡现货等价格将持续调涨，第4季的NAND Flash的市况将视苹果新一代iPhone与其他品牌智慧型手机新品上市后的销售力道而定。