武汉新芯宣布嵌入式闪存工艺进展顺利

2015年1月26日，武汉新芯集成电路制造有限公司（XMC），今日宣布其第一个基于 SST 应用方案的55nm嵌入式闪存工艺验证模块上已经取得成功，其高压和存储单元电性测试结果与设计目标值完全吻合，16M存储阵列良率符合预期。这是武汉新芯低功耗嵌入式闪存技术研发的一个重要里程碑。

武汉新芯于2014年正式开始与 SST 合作开发高可靠性的嵌入式闪存技术。在双方工程师的共同努力下，仅用不到一年时间就完成了技术导入、工艺设计和器件研发制造。目前，器件的高压（HV）和单元（Cell）电性参数完全符合预期，整体电路结构兼具高可靠性和低成本，能完全满足智能卡和物联网产品的需求。紧接着，武汉新芯将与合作伙伴试产智能卡产品，以验证终端产品功能和性能，并以此进一步优化工艺、提升良率，实现量产。

“在55nm嵌入式闪存工艺上取得的进展意味着武汉新芯正稳步推进自己55nm低功耗物联网平台的建设。”武汉新芯市场部副总裁黄建冬博士说道，“我们将继续拓展现有的制造能力，持续完善工艺平台，为客户带来更多定制化的技术与代工服务。”