武汉新芯宣布取得三维数据型闪存技术重大突破

武汉新芯近日宣布，其正在进行的三维数据型闪存项目已在研发上取得了重大突破，通过研发团队半年时间的努力，第一个具有9层结构的三维存储器芯片下线并一次性通过了存储器基本功能的电学验证。这一革命性的进展标志着武汉新芯已成为世界少有的拥有此项技术的公司之一，也预示了我国集成电路制造业将迎来跨越式发展。

随着传统的多晶硅浮栅闪存技术难以继续实现微缩，三维数据型存储技术成为国际上各大存储企业研发的核心方向。由于其技术难度高，目前全球仅有一家公司成功实现了3D-NAND存储器的量产，其他存储器企业仍均处于紧锣密鼓的研发阶段。三维数据型闪存技术是通过在硅片表面垂直叠加几十个或更多的电荷存储层来提高单颗芯片的存储密度，这种技术就像在芯片上盖房子。现有芯片内布置存储单元大都是平铺，虽然面积越做越小，但总会遇到极限，而三维技术如同盖高楼，同样的面积下可以提供更大的数据存储空间。据悉，三维数据型闪存芯片可广泛应用于手机、电脑等电子产品，将是固态硬盘的主要元件。固态硬盘可用于各种便携存储设备，能随时存储任何格式的数据文件资料，被誉为个人的“数据移动中心”，具有广阔的市场前景。

业内权威机构预计，2017年三维数据型存储产品将成为闪存市场的主要产品。在东湖开发区领导的大力支持和杨士宁博士为首的管理团队的果断决策下，武汉新芯成为国内第一家将三维数据型闪存作为战略发展规划的企业，围绕这一战略，武汉新芯就何吸引优秀人才加盟、培养本土存储技术人才，如何开展国内外合作，如何解决研发投资等问题做出了不懈的努力，向国家和业界同仁交出一份“我们有能力，靠自己的实力，开展国际合作，竞争前沿技术”的答卷

公司三维数据型闪存研发团队组建于2014年8月，第一阶段开发九层的三维NAND存储器原型阵列,在2014第四季度即完成了版图设计和工艺流程的搭建，于2015年5月4日完成工艺制程开发及测试验证，首次流片即告成功，在预计的时间节点完成了所有研发过程。这不仅体现了公司强大的技术开发能力和高效的执行力，亦体现了创新性科研合作方式的优势与潜力。

武汉新芯的三维数据型闪存项目采用产研结合的合作模式，以武汉新芯在闪存技术上丰富且成熟的研发、量产经验为基础，结合中国科学院存储器理论研究的长期积累，引进“双跨”人才，双方团队并肩协作，倾力攻坚。因而得以迅速实现技术突破。

武汉新芯此项研发进展，针对三维立体结构的工艺技术有诸多革新，其在研发过程中形成的自主知识产权积累，将成为我国半导体存储器技术进步的贡献力量，亦有利于我国半导体产业的前瞻性布局，对于打破国外公司在存储器领域的垄断优势，填补国内空白，具有重要的意义。