半导体制程线宽持续微缩 污染物过滤考验大

半导体制程不断微缩，让新一代芯片的性能、功耗得以有更好的表现，但制程微缩却也使得制程中的污染物控制受到更严格的考验。对此，特用材料供货商英特格(Entegris)近期发表Oktolex薄膜技术，其针对各种化学品的需求，强化各种薄膜原本的拦截机制，进而使该薄膜技术得以过滤光化学污染物，目前主要市场锁定在逻辑、DRAM和3D NAND装置的ArF、KrF和EUV光微影技术。

英特格总经理谢俊安表示，随着奈米制程的精进与EUV的导入，让半导体的制程变得更为复杂，在控制污染粒子(Particles)方面，也显得更为困难。 当半导体制程线宽变得越来越小，原本不会对制程造成影响的污染粒子，如今也必须设法控制，才能确保半导体制造的良率。 而英特格提供的解决方案，便致力于防止这些污染粒子跑到线路上。 举例来说，过去英特格仅须控制20奈米大小的污染粒子，但在制程越做越小的情况下，现在英特格必须设法控制10奈米，甚至更细小的污染粒子，因此相对应的技术都必须随之提升。

此外，先进制程的曝光次数增加，也使得污染控制变得更为复杂。 相较于以往28奈米制程仅须使用浸润式曝光机(Immersion Scanner)进行1次曝光，10奈米制程的曝光次数已经提高为4次。

有鉴于此，英特格近日在SEMICON Taiwan展会上，发表创新的Oktolex薄膜技术，这项技术可应用在先进的使用点光微影技术上。 Oktolex革命性的薄膜可针对各种化学品的需求，强化各种薄膜原本的拦截机制，以过滤光化学污染物。 Oktolex 薄膜将薄膜特性，与特定污染物的吸收机制作匹配，进而可将薄膜的过滤效能优化，且不会与化学品的组成产生不良反应。

英特格微污染物防治部资深副总裁兼总经理Clint Haris表示，我们打破传统，开发出更干净、速度更快且更有效率的方式，来过滤多数高挑战性的污染物，这种针对特定污染物控制需求的特殊方法，可用在逻辑、DRAM和3D NAND装置的ArF、KrF和EUV应用上。