半导体微波退火技术 台积采用

交通大学、工研院、国家奈米组件实验室（NDL）合作，在经济部技术处支持下合作开发出「半导体微波退火」技术，将微波加入半导体制程，让半导体在退火过程时降温速度更快、成本更低。获得台积电、晶电及碳纤化工业采用，有效取代传统红外光及炉管制程。

半导体退火并非单指降温，而是从加热到降温的迅速升降温过程。半导体晶圆中因掺入杂质，会让导致晶圆材料性质产生剧烈变化。 透过退火程序，可恢复晶圆晶体的结构、消除缺陷。

退火过程攸关半导体产品良率，以7奈米制程为例，退火过程中磊晶受热温度需压低至摄氏600度以下；制程尺寸愈小，要求的温度愈低，未来市场趋势要求降低至摄氏450度以下。

目前「快速热退火」技术因过程温度高，易有热扩散效应。 工研院机械与机电系统研究所研究员黄昆平指出，「半导体微波退火」直接以微波对晶圆的硅晶原子加热，可避免热扩散效应，达到低温退火效果，可批处理多片晶圆，较「快速热退火」单次仅能处理一片晶圆更有效率。