高通联发科海思手机芯片10nm大战开打

手机晶片10奈米大战正式开打！手机晶片龙头高通（Qualcomm）抢在美国消费性电子展（CES）前发表10奈米Snapdragon 835手机晶片，采用三星10奈米制程生产。联发科交由台积电10奈米代工的Helio X30也已进入量产阶段，明年上半年将再推出Helio X35抢市，至于华为旗下海思半导体Kirin 970也将在明年采用台积电10奈米量产。

业界人士指出，明年第一季将是高通、联发科、海思等三大手机晶片厂的10奈米晶片大战开打，虽然规格上仍是高通领先同业，不过能否真正放量出货并抢下手机厂订单，关键反而在于台积电及三星等晶圆代工厂能否符合预期开出产能。

高通宣布子公司高通技术公司发表新一代Snapdragon 835手机晶片，虽然大部份细节规格都还没正式公布，但说明将支援最新的Quick Charge 4快充技术，进行5分钟充电后，将手机使用时间延长至5小时以上，且Quick Charge 4支援 Type-C连接埠和通用汇流排电力传输（USB-PD），可广泛的适用于各种连接线和转接器之上。

联发科早在10月初就说明了新一代10奈米Helio X30手机晶片部份细节。联发科Helio X30手机晶片是10核心架构，确认将采用2+4+4的三丛集运算架构，包括运算时脉高达2.8GHz二核心ARM Cortex-A73、搭配运算时脉达2.2GHz的四核心ARM Cortex-A53、以及运算时脉达2.0GHz的四核心 ARM Cortex-A35。与上一代十核心Helio X20手机晶片相较，运算效能可提升43％，功耗上则可节省58％。

联发科Helio X30已经在第四季将率先进入量产投片阶段，采用台积电10奈米制投片，策略上就是希望藉由台积电在晶圆代工市场的技术领先优势来打造Helio X30，以对抗采用三星10奈米生产的高通Snapdragon 835。同时，联发科新一代Helio X30手机晶片支援LTE Cat.10规格，并且是全球全模的手机晶片，预期明年第一季将可顺利出货，明年上半年还会再推出支援Cat.12的10奈米Helio X35抢市。

华为旗下海思半导体已经加快10奈米微缩速度，业界预期，明年上半年将会推出首款采用台积电10奈米生产的Kirin 970手机晶片，虽然架构上可能仍是8核心，但在数据机上会率先支援Cat.12的全球全模规格。