对话格罗方德 CEO：为什么现在拥抱FD-SOI？

　　Globalfoundries公司最新消息已证实，该公司本身不仅支持在IC制造中采用FD-SOI(全耗尽绝缘硅)工艺，而且极其重视该技术，希望拥有独门工艺用于满足多种低功耗应用的需求。

　　GlobalFoundries采用FD-SOI的意向最早要追溯到2012年与意法半导体签署的授权协议，在意法20/28nm FDSOI工艺基础上，Globalfoundries开发一种包含四种工艺的22纳米FD-SOI平台。那是在首席执行官(CEO)Sanjay Jha2014年初就任CEO之前。

　　最初的计划是，Globalfoundries充当意法半导体开发的28纳米FD-SOI工艺的授权代工供应商，后来，Globalfoundries一直不断投入自己的工程技术，来开发22纳米的四种工艺变种，面向仅次于最先进的应用。当前最前沿的应用是采用14nm FinFET制程。

　　Jha解释了为什么Globalfoundries接受FD-SOI，以及为什么是现在。

　　“过了28纳米，摩尔定律面临诸多挑战，而业界面临一个选择：FinFET或FD-SOI。我们在美国的晶圆厂拥有14nm FinFET工艺，通过收购IBM Microelectronics，我们将来可以做到7纳米。”Jha表示，“FinFET非常适合高成本、大批量和高性能的应用。但物联网与移动通讯领域有许多应用，要求较低的功耗。”

　　那么，为什么Globalfoundries没有更早地推出28纳米FD-SOI呢？Sanjay Jha表示，新摩尔定律现在已是主流，不再是支流，这点显而易见。

　　“22纳米工艺克服了28纳米节点上遇到的一些挑战。晶体管特性较好，晶粒尺寸缩减 20%，弥补了基板的成本上升。”Jha表示，“这意味着，我们能够提供更好的性能，而成本与28纳米(FD-SOI)一样。”英特尔与台积电拒绝采用FD-SOI工艺，对FinFET情有独钟，经常给出的一个理由就是SOI晶圆成本高于硅晶圆。

　　但是，Globalfoundries公司利用了FD-SOI提供的一种可能性，即通过反向偏压来改变晶体管的阀值电压与工作特性，甚至可以允许客户动态调整这些特性。而在FinFET结构下很难做到这点。

　　Jha给出的第二个理由是，市场与客户的需求不断变化。Jha表示：“三年前28纳米还是最先进的工艺。当时我们没看到市场对28nm FD-SOI有什么需求。而现在我们确实看到了需求，而且我们缩小了该工艺的尺寸，市场也向前发展了。”

　　Jha指出，入门级与中档手机应用不需要最高的性能，但仍对电源效率高度敏感。同样，许多物联网应用只需很少的原始处理能力，但要求大幅降低功耗。“市场现在要求超低功耗。例如，智能手表通常需要每天充电。我们认为，我们可以利用我们的技术把智能手表电池续航时间延长到原来的四倍。”

　　FD-SOI工艺将用于Globalfoundries欧洲晶圆代工厂

　　22nm FD-SOI工艺将在Globalfoundries位于德国德累斯顿的晶圆厂投入使用。该工艺就是在这里宣布推出的。Jha表示，公司从德国萨克森州得到了一些支持，而且正在就这项技术“咨询”德国政府。但Jha表示，欧盟并没有向Globalfoundries公司提供鼓励措施，以促使其采用FD-SOI工艺并将其放在欧洲。