台积电7纳米将于2017年第2季试产 挑战半导体霸主英特尔

　　台积电10纳米量产时程领先英特尔之际，持续乘胜追击。台积电共同执行长刘德音昨（3）日首次揭露，台积电7纳米将于2017年第2季试产，并向供应链喊话共同合作，全力投入5纳米研发，向挑战全球半导体霸主地位迈进。

　　刘德音昨天是在主持台积电供应链管理论坛时，向到场的逾600名来自全球的设备及材料供应商揭露台积电先进制程最新蓝图。法人认为，台积电先进制程演进速度快，汉微科等高阶设备厂，将扮演重要的助攻角色。

　　台积电截至目前已量产的16纳米，进度都落后英特尔，在下一世代的10纳米，台积电首度超车，将在明年初开始试产，明年下半年开始量产，比英特尔2017年量产的时间快至少六个月。

　　在昨天之前，台积电均未透露7纳米确切的试产时间，更从未提及5纳米。刘德音昨天首度披露台积电7纳米将于2017年第2季试产，并已投入5纳米研发。

　　业界认为，此举象征台积电“就是要比对手快”，未来苹果、辉达等大客户要在最快的时间内使用最新的制程，“一定要找台积电”。台积电藉此可持续拓展高阶制程市占，提升获利能力。

　　刘德音说，台积电已成功以7纳米制程产出静态存取记忆体（SRAM），打脸先前自称以10纳米产出SRAM的三星。他强调，7纳米预定2017年第2季完成产品设计定案（tape out），和10纳米制程只差五季。

　　依此时程推算，台积电明年初就会启动10纳米试产，因此从今年第4季起密集采购10纳米生产线相关设备，以利明年第1季启动10纳米试产。

　　至于明年挹注营收的主力制程16纳米，刘德音强调，到今年底共有27个产品完成产品设计定案，预估到明年底将达到100个，有助台积电提升市占率；台积电今年在全球晶圆代工市占率将达到54%，持续独霸全球。

　　台积电先前下修今年资本支出到80亿美元，稍早刘德音接受外电专访时透露，明年资本支出将超过今年，设备商推估将逾百亿美元，甚至达120亿美元，创历史新高，凸显台积电投入7纳米先进制程研发、增加16纳米产能、布建10纳米试产线，明年几乎三路并进，卯足全劲，要超越英特尔。