DIGITIMES Research专栏：英特尔IDM 2.0战略与区域竞合将开启晶圆制造产业竞争新局

DIGITIMES Research观察，伴随非存储器类晶圆制造技术逐步推进到10纳米以下，台积电、三星电子(Samsung Electronics)、英特尔(Intel)等已成少数竞争业者。综合制造技术发展与生产能力，目前台积电暂时领先，但三星、英特尔也各拥竞争优势。而英特尔抛出“IDM 2.0”战略，除加剧三者竞争态势，同时，半导体区域竞合也开启三者竞争新局。

从先进工艺来看，至2023年台积电将持续领先三星与英特尔，三星虽有意率先量产环绕式闸极场效晶体管(Gate-All-Around FET；GAAFET)，但生产技术掌握度、材料与设备配套完善度、客户采用意愿等，都是三星如期量产GAAFET的变量。至于先进封装部分，三家皆有2.5D封装量产经验，但英特尔3D先进封装已有量产经验，发展进程相对领先。