又一芯片技术领先！自研国产芯有望成主流，弯道超车不再是梦！

一直以来，中国在半导体领域上都面临着两个痛点，一个是芯片，一个就是光刻机，而芯片与光刻机又是紧密相关的。光刻机的精度决定了芯片的精度，所以对于我们来讲，根源问题就是光刻机。

如果说能够解决了光刻机的问题，那么相信芯片的问题也会迎刃而解，在芯片制造工艺以及材料，软件等方面，我们一直以来都是落后美国等西方发达国家，这就导致我们在于美国这场科技的博弈中被美国抓住了软肋。

受到美国的打压，芯片没有办法正常供应华为手机，生产线也出现了停滞的情况。而荣耀被迫剥离出去，从2020年第四季度，华为手机全球出货量已经下降到了第六位。这种情况来看，华为在此次芯片精灵之中的确是承担了不少的压力。

除此之外，中国芯片生产龙头企业中芯国际也受到了美国实体清单的影响，先进制程的发展也受到了一定的阻力，更重要的是我国在5G包括6g以及武器6G应用之中，是我国信息技术发展的引擎之一，可是这些都需要大量的芯片。

有相关数据显示，我国在半导体芯片进口所花的金额已经远远超过了石油，而芯片觉成为了我国最大的进口产品，虽然近几年来在芯片设计以及制造方面我们也已经有了一定的进步，但是芯片会被卡脖子，这依旧是一个不争的事实。

在芯片的整个产业链之中，包括设计，制造，封装以及测试等等环节，华为海思所设计的麒麟芯片在全世界领域也已经属于一流的范畴之内，可是芯片架构以及新设计软件我们依旧受制于人。就比如说eda软件，我们想要完成弯道超车还是非常困难的。毕竟，就是需要长时间的积累才能够形成的芯片。

制造材料领域之中，美国企业一家独大，在各方面，我国虽然已经有了布局，但是还在不断追赶之中，制造设备方面，光刻机是最大的难题，荷兰的阿斯麦由于受到瓦森纳协议的影响，想要买到光刻机也是非常困难的。

最近几年来，在芯片领域，上面投资巨大，国家对于这件事情也是非常的重视。在这样的情况之下，相信我们很快就会迎来比较大的发展。但能够确定的是在短时间之内想要缩小差距，进行赶超几乎是难于登天的。

最近科技界流传着一个好消息，那就是硅基芯片已经无限接近摩尔定律的极限，从几百纳米到五纳米，三纳米，一纳米只有几个硅原子线宽，除非是有革命性的突破，不然就不可能一直在这样发展下去。

而我们也不难发现越是制成高的芯片，其发展速度也越慢，而这一点对于我们来讲就是一个好的契机，为我们追赶提供了有利的时间。摩尔定律已经无限接近一理论极限，那么有没有什么材料可以替代呢？目前有相关消息已经证明碳纳米罐晶体管。比最先进的硅晶体管有多的十倍的综合优势。基于碳纳米经管晶体管技术所构建的芯片框架，未来把芯片性能提高几百甚至上千倍都是很有可能的。

由中国科学院院士，北京大学谈及电子学研究中心主任所带领的团队，在碳基集成电路无掺杂制备新技术上首次制备出性能接近物理极限，栅长仅为5纳米的碳管晶体管，实现了综合性能超越硅基十几倍的奇迹。

早期英特尔采用半导体掺杂的方式无法制备出超越硅基技术的集成电路，放弃了碳纳米方案，而这个团队开始探索无掺杂技术，2017年将碳基器件尺寸缩减到了5纳米水平，2020年再次获得了突破，首次达到大规模碳基集成电路用碳纳米管阵列所需纯度以及密度，并且用这种材料实现了性能超越，集成硅集成电路电路频率超过了8GhZ。

这也就意味着我们在芯片技术上再一次保持了领先的优势，我们自研的国产芯片很有可能会成为主流，而弯道超车将不会再是梦想，相信在全国上下共同的努力之下，我们一定能够在各种领域之中完成更大的突破。