深科技：具备最新一代DRAM产品的封测能力！

近日，深科技在接受投资者调研时表示，公司目前的封测技术能够覆盖主流存储器产品，并具备 LPDDR3、LPDDR4 和固态硬盘 SSD 的量产能力。

深科技介绍，公司全资子公司沛顿科技专注于存储芯片的封装测试，是国内具有从集成电路高端DRAM / Flash晶圆封装测试到模组成品生产完整产业链的企业。

据悉，深科技存储芯片封测产品主要包括DDR3、DDR4、LPDDR3、LPDDR4 、3D NAND以及Fingerprint指纹芯片等。在存储产品领域，目前产品主要包括内存模组、USB存储盘（U盘）、Flash存储卡、SSD等存储产品。

关于存储先进封测与模组制造项目情况进展，深科技指出合肥沛顿为公司与地方政府共同投资建设的集成电路先进封测和模组制造项目，总投资金额100亿元，主要为国内自主存储半导体龙头提供封装和测试业务。

其中一期项目投资30.67亿元，公司已公告拟通过非公开发行募资17.1亿元，与国家集成电路大基金二期、合肥经开创投等共同投资完成，包括新建月均产能4800万颗DRAM存储芯片封装测试的项目、月均246万条存储模组项目和月均产能320万颗NAND Flash存储芯片项目。

目前合肥沛顿项目建设进展顺利，一期厂房将于今年第四季度完成建设，并于12月投入生产并形成有效产能，届时可全面配合上游厂商最新的业务发展进度。

核心技术方面，深科技指出，深科技8Gb/16Gb DDR4已于2019年通过了国内外多个大客户的验证正式交付，目前公司在存储封测17nm量产基础上，持续推进更精密10nm级DRAM产品的技术迭代，不断向全球DRAM市场的主流工艺节点技术进行突破。

深科技目前的封测技术能够覆盖主流存储器产品，并具备LPDDR3、LPDDR4和固态硬盘SSD的量产能力。同时，在国内外存储芯片向高速、低功耗、大容量发展的行业趋势下，深科技不断推动DDR5、LPDDR5等新产品的技术开发，且具备最新一代DRAM产品的封测能力。