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包括英特尔、台积电、三星、SK海力士等半导体四巨头今年扩大极紫外光（EUV）产能建置及量产规模，包括向艾司摩尔（ASML）采购最新0.33数值孔径EUV曝光机，每小时曝光产量（throughput）可提升至160片，并与ASML合作开发0.55高数值孔径（High-NA）次世代EUV技术，预计2025年进入量产，以维持摩尔定律有效性。
随着7纳米及5纳米等先进逻辑制程、1a纳米DRAM制程今年导入EUV微影技术并扩大量产投片规模，四大半导体厂已将ASML今、明两年EUV曝光机产能预订一空。
台积电及三星在2019年推出采用EUV技术7纳米制程，2020年采用更多EUV光罩层的5纳米亦进入量产阶段，加上三星领先同业率先以EUV量产1a纳米DRAM，推升EUV生态系统进入成长爆发阶段。根据ASML统计，2019年初采用EUV曝光晶圆累计达400万片，但去年底晶圆累计已达2,600万片规模，2021年将维持高速成长。
市调机构IC Knowledge LLC指出，ASML自2019年第四季开始出货的NXE：3400C曝光机，在每平方公分30毫焦耳（30mj/cm2）功率下，每小时曝光产量约135～145片，在逻辑制程上可支援5纳米量产及3纳米初期生产。随着台积电及三星明年开始量产3纳米，ASML今年下半年推出升级版NXE: 3600D曝光机，每小时曝光产量提升至160片，可符合3纳米制程量产需求。
ASML将于2022～2023年推出妥善率达95％的新一代0.33 NA的EUV曝光机，届时每小时曝光产量可再提升至220片以上。同时，ASML将于2022年下半年推出次世代支援0.55 High-NA的EUV曝光机EXE：5000，每小时曝光产量达150片，预计2025年推出首款High-NA量产型曝光机EXE：5200 ，每小时曝光产量将超过220片。
ASML今年产能可支援45～50台EUV曝光机出货，其中八成已被台积电及三星包下。随着半导体四巨头扩大EUV产能建置并提高量产规模，EUV设备及材料供应商直接受惠。
